フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブル対策を解説！
１．レジスト・リソグラフィ産業の現状
1-1 レジスト材料の市場競争力向上
（競争力の鍵とは）
1-2 ユーザーの導入基準とは
（基本性能評価、Open/Short評価、デバイス信頼性評価、
量産適用性、レジスト／装置のハイブリッド運用）
1-3 デバイス量産工場におけるレジストの現状
（回路設計とプロセスマージン）
２．リソグラフィプロセスの基礎(これだけは習得しておきたい)
2-1 レジスト材料／プロセスの最適化
（レジスト材料（i線、KrF,ArF,EUV,EB）、プロセスフロー、
ポジ型／ネガ型の選択基準、光化学反応メカニズム、パターン現像、
PEB、TARC/BARC、厚膜レジスト、平坦化）
2-2 露光描画技術の最適化
（露光システム（ステッパー、スキャナー、EUV）、レイリ―の式、
解像力、焦点深度、液浸露光、重ね合わせ技術）
2-3 レジストコントラストで制御する
（光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、
現像コントラスト、パターン断面形状改善）
2-4 エッチングマスクとしてのレジスト
（プラズマとは、等方性/異方性エッチング、RIE、エッチング残さ、
ローディング効果、選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透と膨潤）
2-5 レジスト処理装置の最適化
（HMDS処理、コーティング、現像、レジスト除去の要点）
３．レジストプロセス技術
3-1 高解像プロセス技術
（EUV、k1<0.25の実現、位相シフト、液浸、ダブル／マルチパターニング技術、
LELE型、スペーサ／サイドウォール型、多層レジスト）
3-2 レジスト支援プロセス技術
（ペリクル、イメージリバーサル、表面難溶化プロセス、光造形、ナノインプリント）
3-3 プリント基板、ソルダーレジスト技術
（5G対応プリント基板技術、DFR/メッキプロセス、耐はんだ性）
3-4 シミュレーション技術(効果的な技術予測)
（レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析）
４．レジスト欠陥・剥離対策（歩留り向上の最優先対策とは）
4-1 致命欠陥とは
（配線上異物、ショート欠陥、バブル欠陥、塗布ミスト、接触異物、
フィルタリング、欠陥計測法）
4-2 プロセス欠陥と対策
（乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ）
4-3 パターン剥離メカニズムとその影響因子とは
（付着促進要因と剥離加速要因、検査用パターン）
4-4 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる
（最適な処理温度と処理時間）
4-5 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する
（毛細管現象、パターン間メニスカス、エアートンネル）
4-6 レジスト膜の応力をin-situ測定する
（減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル）
4-7 パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい
（アンダーカット形状、応力集中効果、表面硬化層）
4-8 パターン熱だれ・変形対策
（樹脂の軟化点、パターン形状依存性、体積効果、DUVキュア）
５．レジスト材料・プロセスの高精度計測技術
5-1 原子間力顕微鏡(AFM)によるパターン付着力測定方法
（DPAT法）
5-2 LER解析
（表面難溶化層、側面粗さ）
5-3 共焦点レーザー顕微鏡（CLSM法）による現像過程の解析
（レジスト溶解挙動のリアルタイム解析）
６．質疑応答、技術開発および各種トラブル相談
（日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます）