2021年12月20日（月）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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非会員：
55,000円
（本体価格：50,000円）
会員：
44,000円
（本体価格：40,000円）
学生：
55,000円
（本体価格：50,000円）
会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名55,000円（税込）から
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半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方
（初心者から中級者まで）
・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング（PA-ALE）、熱原子層エッチング（thermal ALE）の特徴と応用
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング（RIE）から、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置
a.容量結合型プラズマ（CCP）装置
b.誘導結合型プラズマ（ICP）装置
4.反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
a.プラズマ表面相互作用
b.表面帯電効果
c.シリコン系材料エッチング反応機構
d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
e.高アスペクト比（HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
a.熱ALD
b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
a.PA-ALE
b.熱ALE：リガンド交換
c.熱ALE：金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX)
9.まとめ
＜質疑応答＞
10：30～12：00 講義1
12：00～13：00 昼食
13：00～14：30 講義2
14：30～14：45 休憩
14：45～16：00 講義3
16：00～16：30 質疑応答
※進行によって、多少前後する可能性がございます。
※質問は随時チャット形式で受け付けます。休憩時や終了時に音声でも可能です。
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