半導体ドライエッチングの基礎と最新技術【LIVE配信】
~反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)など~

※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。

セミナー概要
略称
ドライエッチング【WEBセミナー】
セミナーNo.
開催日時
2021年12月20日(月) 10:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
講師
大阪大学 工学研究科 アトミックデザイン研究センター
                 教授 理学博士・Ph.D.  浜口 智志 氏

【略歴】
 1982年 東京大学理学部物理学科卒業
 1987年 同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
 1988年 ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
 1988年-1990年 テキサス大学物理学科核融合研究所・研究員
 1990年-1998年 IBM ワトソン研究所・主任研究員
 1998年-2004年 京都大学エネルギー科学研究科・助教授
 2004年-現在 大阪大学工学研究科・教授

【学会活動等】
 国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長、Journal of Plasma Medicine 編集委員長、Journal of Physics D: Applied Physics 編集委員、プラズマ医療国際学会(IPMS)元会長、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)元分科会長、等歴任。:米国物理学会(APS)フェロー、米国真空学会(AVS)フェロー
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  44,000円 (本体価格:40,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名55,000円(税込)から
 ・1名44,000円(税込)に割引になります。
 ・2名申込の場合は計55,000円(2人目無料)になります。両名の会員登録が必要です。
 ・10名以上で申込される場合は大口割引(総額220,000円~)があります。
  お気軽にメールでご相談ください。info@rdsc.co.jp

会員登録とは? ⇒ よくある質問
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
持参物
受講にはWindowsPCを推奨しております。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
備考
・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方
(初心者から中級者まで)
習得できる知識
・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)の特徴と応用
趣旨
 本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング(RIE)から、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
プログラム

1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置

 a.容量結合型プラズマ(CCP)装置
 b.誘導結合型プラズマ(ICP)装置
4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
 a.プラズマ表面相互作用
 b.表面帯電効果
 c.シリコン系材料エッチング反応機構
 d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
 e.高アスペクト比(HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として

 a.熱ALD
 b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
 a.PA-ALE
 b.熱ALE:リガンド交換
 c.熱ALE:金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
9.まとめ

<質疑応答>

スケジュール
10:30~12:00 講義1
12:00~13:00 昼食
13:00~14:30 講義2
14:30~14:45 休憩
14:45~16:00 講義3
16:00~16:30 質疑応答
※進行によって、多少前後する可能性がございます。
※質問は随時チャット形式で受け付けます。休憩時や終了時に音声でも可能です。
キーワード
半導体,ドライ,エッチング,プラズマ,ALD,ALE,原子層,入門,講座,研修,セミナー
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