1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置
a.容量結合型プラズマ(CCP)装置
b.誘導結合型プラズマ(ICP)装置
4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
a.プラズマ表面相互作用
b.表面帯電効果
c.シリコン系材料エッチング反応機構
d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
e.高アスペクト比(HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
a.熱ALD
b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
a.PA-ALE
b.熱ALE:リガンド交換
c.熱ALE:金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
9.まとめ
<質疑応答>