☆このセミナーはアーカイブ配信です。配信期間中(7/26~8/2)は、いつでも何度でも視聴できます!

半導体ドライエッチングの基礎と最新技術【アーカイブ配信】
~反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)など~

※こちらは7/22実施WEBセミナーのアーカイブ(録画)配信です。申込後に請求書は郵送でお送りし、セミナー資料(PDF形式)と視聴用URLはEメールでお知らせします。

セミナー概要
略称
ドライエッチング【アーカイブ配信】
セミナーNo.
配信開始日
2024年07月26日(金)
配信終了日
2024年08月02日(金)
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
講師
大阪大学 工学研究科 マテリアル生産科学専攻
                 教授 理学博士・Ph.D.  浜口 智志 氏

【略歴】
 1982年 東京大学理学部物理学科卒業
 1987年 同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
 1988年 ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
 1988年-1990年 テキサス大学物理学科核融合研究所・研究員
 1990年-1998年 IBM ワトソン研究所・主任研究員
 1998年-2004年 京都大学エネルギー科学研究科・助教授
 2004年-現在 大阪大学工学研究科・教授

【学会活動等】
 国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長(2019-2021)、Journal of Plasma Medicine 編集委員長(2019-現在)、プラズマ医療国際学会(IPMS)会長(2015-2016)、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)分科会長(2014)等歴任: 米国物理学会(APS)フェロー、米国真空学会(AVS)フェロー、応用物理学会(JSAP)フェロー
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  44,000円 (本体価格:40,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。
 ・1名申込の場合、55,000円(税込)→44,000円(税込)
 ・2名同時申込の場合、合計110,000円(税込)→合計55,000円(税込)
   ※両名の会員登録が必要です。

会員登録とは? ⇒ よくある質問
備考
本セミナーは、約4時間30分の講演を収録したアーカイブ配信セミナーです。
2024年7月26日(金)~8月2日(金)の期間中、いつでも何度でもご視聴いただけます。

【アーカイブ配信セミナーの申込・受講手順】
1)このHPから参加申込をしてください。
2)申込後、受理のご連絡メールをさせていただきます。また請求書を郵送いたします。
3)視聴開始日までにセミナー資料(PDF形式)と閲覧用URLをお送りさせていただきます。
 ※申込者以外の視聴はできません。録音・録画などの行為を固く禁じます。
 ※配布資料の無断転載、二次利用、第三者への譲渡は一切禁止とさせていただきます。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方
(初心者から中級者まで)
習得できる知識
・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)の特徴と応用
趣旨
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング(RIE)から、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
プログラム

1.背景

2.プラズマ科学の基礎

3.代表的なプラズマプロセス装置
 a.容量結合型プラズマ(CCP)装置
 b.誘導結合型プラズマ(ICP)装置

4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
 a.プラズマ表面相互作用
 b.表面帯電効果
 c.シリコン系材料エッチング反応機構
 d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
 e.高アスペクト比(HAR)エッチング概要

5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として

6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
 a.熱ALD
 b.プラズマ支援(PA-)ALD

7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
 a.PA-ALE
 b.熱ALE:リガンド交換
 c.熱ALE:金属錯体形成

8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)

9.まとめ

キーワード
半導体,ドライ,エッチング,プラズマ,ALD,ALE,原子層,入門,講座,研修,セミナー
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