表面分析（TOF-SIMS、XPS）の原理と分析のポイント・データ解釈の注意点【LIVE配信】

１．表面分析法の特徴
　1-1．表面分析の重要性
　1-2．表面分析法の種類
　1-3．表面分析法による機能材料評価の特徴

２．TOF-SIMS法の原理と特徴
　2-1．二次イオン質量分析（SIMS）法の原理
　2-2．質量分析器の比較
　2-3．飛行時間型質量分析が表面分析となる理由
　2-4．一次イオン源
　2-5．イメージング分析

３．XPS法の原理と特徴
　3-1．X線光電子分光（XPS）法の原理
　3-2．XPS法が表面分析となる理由
　3-3．イメージング分析

４．試料：サンプリングとハンドリング
　4-1．測定できる試料と形状
　4-2．ハンドリングとサンプリングの注意点
　4-3．粉末試料
　4-4．絶縁試料
　4-5．電池材料、大気非暴露測定

５．深さ方向分析：イオンエッチングの原理と特徴
　5-1．単原子イオンとクラスターイオン
　5.2．クラスーイオンエッチングの原理と特徴
　5-3．イオンエッチングによる表面汚染除去と注意点
　5-4．深さ方向分析と注意点

６．TOF-SIMS法の測定と解析
　6-1．正イオンスペクトルと負イオンスペクトル
　6-2．マスピークの同定と注意点
　6-3．データベースの利用と注意点
　6-4．新しい技術（AIの利用、MS/MSの利用）

７．XPS法の測定と解析
　7-1．ワイドスペクトル（サーベイスペクトル）
　7-2．ナロースペクトル
　7-3．化学状態分析と注意点
　7-4．定量分析と注意点
　7-4．新しい技術（薄膜構造解析）

８．最新の測定・解析例
　8-1．表面性状の分析
　8-2．表面微小異物の分析
　8-3．配線材料・電極材料の分析
　8-4．半導体材料の分析

９．まとめ

　【質疑応答】