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★Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説します！

各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題【アーカイブ配信】

こちらは4/18実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
パワーデバイス【アーカイブ配信】
セミナーNo.
240479A
配信開始日
2024年04月20日（土）
配信終了日
2024年04月26日（金）
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  44,000円 （本体価格：40,000円）
学生：  49,500円 （本体価格：45,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　・1名で申込の場合、44,000円（税込）へ割引になります。
　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
会員登録とは？　⇒　よくある質問
備考
・こちらは4/18開催WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

・セミナー資料は配信開始日までにPDFで配布します。セミナー資料は紙媒体では送付しません。セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

・動画のURLはメールでお送りします。
講座の内容
受講対象・レベル
・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者
習得できる知識
・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
趣旨
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状主にSiを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイスの性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。ワイドギャップ半導体パワーデバイスの量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本は、ここでも海外メーカに後れを取っています。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。
プログラム

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
　1-1．パワーエレクトロニクスへ業界動向
　1-2．パワーデバイスの適用分野
　1-3．パワーデバイスによる電力変換
　1-4．パワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
　2-1．パワーチップの構造
　2-2．パワーモジュールの構造
　2-3．パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
　3-1．Siパワーデバイスの技術開発
　3-2．SiCパワーデバイスの技術開発
　3-3．GaNパワーデバイスの技術開発
　3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4．電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
　4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史
　4-2．世界のパワーデバイスの状況
　4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

キーワード
半導体、パワー、デバイス、モジュール、チップ、ワイドギャップ、SiC、GaN
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