2024年08月28日（水）
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半導体プロセスに用いるプラズマの基礎、およびこれを応用したドライエッチングの原理や装置の構造について理解を深めたい半導体製造、開発業務に携わる若手技術者や新人の方々。
プラズマについての予備知識は特に必要ありません。基礎から解説します。
半導体プロセスに用いられるプラズマを理解するためのプラズマ理論の基礎、ドライエッチングの原理と種々のエッチング手法などが習得できる。
プラズマは産業の広い分野で日常的に使われています。しかし、プラズマの原理やプラズマを用いることの利点について系統的に学ぶ機会は少ないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴を理解することが不可欠になります。そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の生成機構や特徴について解説します。後半ではそれらを踏まえ、ドライエッチングにフォーカスしてその原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。
1．プラズマの基礎
1-1. プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
1-2. 衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
1-3. Boltzmann方程式
1-4. Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式（拡散方程式、連続の式など）
２．各種プラズマの生成機構と特徴
2-1. 直流放電プラズマ
2-2. 容量性結合RF放電プラズマ
2-3. 誘導性結合RF放電プラズマ
2-4. 大気圧低温プラズマ
３．プラズマエッチング
3-1. プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）
3-2. 代表的なエッチング装置
3-3. エッチングダメージ
3-4. 終点検出の原理
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