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⭐FinFET・GAA世代やポストスケーリング世代を見据え、半導体デバイスのエッチング加工技術、ALE技術の応用、および製造装置技術を解説

半導体製造プロセスにおけるドライエッチングの基礎・最新技術動向【LIVE配信】
― 装置・反応メカニズムから形状制御・ALE技術まで ―

※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
【アーカイブ配信：2/16～2/27（何度でも受講可能）】の視聴を希望される方は、こちらからお申し込み下さい。

セミナー概要
略称
ドライエッチング【WEBセミナー】
セミナーNo.
260241
開催日時
2026年02月13日（金） 12:30～16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
（株）日立ハイテク　ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
主管技師長　工学博士　伊澤　勝　氏

【専門】
半導体プラズマエッチング技術

【略歴】
2007年　ドライプロセス国際シンポジウム　論文委員長　（電気学会）
2011年～2012年　ドライプロセス国際シンポジウム　組織委員長
2019年～　SSDM組織委員
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  46,200円 （本体価格：42,000円）
学生：  49,500円 （本体価格：45,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
　★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
　お一人様につき、追加料金11,000円（税込）にてお申込みいただけます。
　メッセージ欄に「LIVEとアーカイブ両方視聴」と明記してください。

◆◇◆10名以上で同時申込されるとさらにお得にご受講いただけます。◆◇◆
お申込みご希望の方は 【こちら】からお問い合わせください。

■会員登録とは？　⇒　よくある質問
備考
・資料付（PDFデータでの配布）
　※紙媒体での配布はございません。
　※資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちら からミーティング用Zoomクライアントを
　　ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
　　ついては こちら をご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
　　10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
　　ください。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体加工プロセスに関心のある、デバイスメーカ、装置メーカ、半導体材料メーカの方など。
必要な予備知識
半導体製造プロセスに関する一般的な知識
習得できる知識
・プラズマエッチングの反応メカニズムとその装置実装について理解できる
・ロジック向け半導体エッチングプロセスの最新動向が理解できる
・縦方向および横方向のALE(Atomic Layer etching)技術が理解できる
趣旨
半導体デバイスの微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチングはその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング装置の概要、および表面反応モデルをベースにしたエッチング反応のメカニズムについて解説する。さらにその応用例として形状制御(寸法ばらつき、ラフネス)や装置への実装等ついて説明する。先端分野への取り組みとして、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工技術およびALE(Atomic Layer etching)技術の応用、製造装置としての技術にについて解説する。
プログラム

1. イントロダクション
　1-1.半導体デバイスのトレンド
　1-2.半導体プロセスの概要

2. ドライエッチング装置の概要
　2-1. プラズマエッチング開発の歴史(概略)
　2-2. プラズマ源とドライエッチング装置

3. ドライエッチングのメカニズム
　3-1. イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
　3-2. エッチング選択比とガス
　3-3. CDシフト(寸法変動)のメカニズム
　3-4. 均一性制御技術：ウエハ温度・ガス分布制御
　3-5. 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用

4. LER、Wiggling抑制技術
　4-1. 堆積制御によるLER改善とEUV応用
　4-2. 応力制御によるWiggling抑制

5. 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
　5-1. DTCO採用に伴うエッチングの課題
　5-2. Si/SiGe fin etching (ALE応用）
　5-3. WFM patterning

6. GAA/CFET世代のエッチング技術
　6-1. GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
　6-2. CFETで求められるエッチング技術

7. コンフォーマルドライエッチング
　7-1. 等方性ドライエッチング技術の概要
　7-2. 熱サイクルALE技術と装置
　7-3. 各膜材料のコンフォーマル加工

8. 製造装置としてのエッチング技術
　8-1. 異物計測とその抑制
　8-2. エッチング装置内壁材料

9. まとめ

キーワード
ドライエッチング,プラズマエッチング,半導体製造,装置,講演,セミナー,研修,講座
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