⭐FinFET・GAA世代やポストスケーリング世代を見据え、半導体デバイスのエッチング加工技術、ALE技術の応用、および製造装置技術を解説
1. イントロダクション
1-1.半導体デバイスのトレンド
1-2.半導体プロセスの概要
2. ドライエッチング装置の概要
2-1. プラズマエッチング開発の歴史(概略)
2-2. プラズマ源とドライエッチング装置
3. ドライエッチングのメカニズム
3-1. イオンアシスト反応 エッチング速度のモデル式
3-2. エッチング選択比とガス
3-3. CDシフト(寸法変動)のメカニズム
3-4. 均一性制御技術:ウエハ温度・ガス分布制御
3-5. 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用
4. LER、Wiggling抑制技術
4-1. 堆積制御によるLER改善とEUV応用
4-2. 応力制御によるWiggling抑制
5. 先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
5-1. DTCO採用に伴うエッチングの課題
5-2. Si/SiGe fin etching (ALE応用)
5-3. WFM patterning
6. GAA/CFET世代のエッチング技術
6-1. GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
6-2. CFETで求められるエッチング技術
7. コンフォーマルドライエッチング
7-1. 等方性ドライエッチング技術の概要
7-2. 熱サイクルALE技術と装置
7-3. 各膜材料のコンフォーマル加工
8. 製造装置としてのエッチング技術
8-1. 異物計測とその抑制
8-2. エッチング装置内壁材料
9. まとめ