＜前編＞ 6/23（火）10:30～16:30
はじめに
第１章 シリコンの基本
１．シリコンとは？
２．今、なぜシリコンか？
３．半導体材料物性比較
４．シリコンvs．化合物半導体
５．シリコン資源
第２章 シリコンウェハ製造プロセス
１．珪石とは？
２．珪石から金属シリコンの製造
３．金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
４．単結晶製造
５．円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
６．スライシング
７．ベベリングとラッピング、ポリッシング
８．エピタキシャル成長とSOI
９．シリコンウェハの市場規模と日本のシェア
第３章 半導体の基礎物理
１．シリコン結晶
２．半導体の導電形
３．ドーパントの種類
４．半導体と周期律表
●演習問題１
第４章 半導体製造の前工程のポイント
１．基本プロセス
２．全体フロー
３．バイポーラプロセスフロー概略
４．CMOSプロセスフロー概略
５．プロセスのパターン
5-1 不純物導入パターン
5-2 成膜のパターン
5-3 金属配線のパターン
5-4 セルフアライメント
第５章 前工程
１．フォトリソグラフィー工程
1-1 フォトリソグラフィーとは
1-2 フォトリソグラフィー工程の流れ
1-3 レンズ系の解像力と焦点深度
1-4 露光用光源
1-4-1 超高圧水銀灯
1-4-2 エキシマレーザー
1-4-3 EUV光源
1-5 各種露光方式
1-6 フォトレジスト
1-7 レチクル（マスク）とペリクル
1-8 超解像
1-9 近接効果補正
1-10 フォト工程の不良例
●演習問題２
２．洗浄工程とウェットエッチング工程
2-1 ウェットプロセスの概要
2-2 ウェットエッチング
３．酸化・拡散工程
3-1 目的と原理
3-2 ドライ酸化とウェット酸化
3-3 酸化の法則
3-4 その他の酸化
3-5 酸化・拡散装置
3-6 縦型拡散炉の特徴
3-7 選択酸化
3-8 ランピング
3-9 測定装置
3-10 熱電対の種類
3-11 酸化膜の色と膜厚の関係
４．イオン注入工程
4-1 イオン注入の目的と原理
4-2 イオン注入工程の概要
4-3 イオン注入装置
4-4 イオン注入装置の各部名称
4-5 イオン注入で起こる問題
５．CVD工程
5-1 CVDの原理
5-2 プラズマのまとめ
5-3 各種CVD
5-4 CVD装置外観
5-5 減圧CVDとステップカバレッジ
5-6 原子層堆積（ALD）
６．スパッタ工程
6-1 スパッタの原理
6-2 各種スパッタ法
７．ドライエッチング工程
7-1 ドライエッチングの原理と目的
7-2 等方性と異方性
7-3 ドライエッチング工程の概要
7-4 プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
7-5 ドライエッチングガス
7-6 反応性イオンエッチング
7-7 ECRエッチング
7-8 ケミカルドライエッチング
7-9 アスペクト比
7-10 選択比
7-11 ローディング効果
7-12 終点検出
８．エピタキシャル成長
8-1 エピタキシャル成長の基本
8-2 ヘテロエピタキシャル成長
９．CMP工程
9-1 CMP工程概要
9-2 装置概要
9-3 各部名称と機能・目的
9-4 CMP適用工程例
9-5 CMP不良事例
１０．電気検査
10-1 はじめに
10-2 ウェハテストとプローブ検査
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