※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
7月29日先端メモリ・ロジックデバイスのための2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎から最新動向
多層配線技術とデバイス集積化【２日間セット】申込はこちら
１．多層配線技術の役割とスケーリング，材料・構造・プロセスの変遷
1.1 多層配線の役割と要求，階層構造，フロアプランの実例
1.2 配線長分布と配線階層(Local, Intermediate,(Semi-)Global)毎のRC寄与度の違い
1.3 下層(Local)・中層(Intermediate)及び上層((Semi-)Global)配線のスケーリング理論
1.4 多層配線技術の進化の足跡
1.5 配線・コンタクト・Viaホールの材料・構造・プロセスの変遷
２．微細Cuダマシン配線技術の基礎～最新動向
2.1 配線プロセスの変遷(Al-RIE⇒Cuダマシン)
2.2 金属材料の物性比較とCu選定の考え方
2.3 Cu酸化拡散防止膜(バリアメタル)の要件と材料候補(Ta(N),Ti(N),Nb(N),W(N))
2.4 Ta(N)の課題(対Cu濡れ性,対酸化性)とTi(N)の優位性
2.5 バリアメタル及びSeed-Cuスパッタ法の変遷と課題
2.6 CVD-Ru，Co, RuCoライナーによるCu埋め込み性の改善
2.7 Mnを利用した超薄膜バリア(MnSixOy)自己形成技術
2.8 Cu電解めっきプロセスの概要と無電解法, Cuリフロー法,
MOCVD法との比較, Additiveの重要性，役割，選定手法
2.9 CMPプロセスの概要と研磨スラリーの種類，適用工程の拡大
2.10 Cu-CMPにおける低機械強度Low-k対応施策(低荷重, 複合粒子スラリー, Pad表面改質)
３．Post-Cu配線形成技術の基礎～最新動向
3.1 Cuダマシン配線における微細化・薄膜化による抵抗増大
3.2 平均自由行程からみたCu代替金属材料候補の考え方
3.3 Ru、Co，W，Mo，Ni, Al2Cu, NiAl, CuMgなどの最新開発動向から見た有力候補
3.4 金属配線の微細化限界についての考察とナノカーボン材料への期待
3.5 多層CNT(MWCNT)によるViaホールへの埋め込みと課題
3.6 多層グラフェン(MLG)による微細配線形成と低抵抗化検討結果
４．低誘電率(Low-k/Air-Gap)絶縁膜形成技術の基礎～最新動向
4.1 Cu配線に用いられている絶縁膜の種類と役割
4.2 各種配線パラメータの容量に対する感度解析結果
4.3 比誘電率(k)低減化の手法と材料候補(SiOF, MSQ/SiOC, PAr, BCBなど)
4.4 層間絶縁膜(ILD)構造の比較検討(Monolithic vs. Hybrid)
4.5 材料物性から見たLow-k材料の課題(低機械強度, 低プラズマダメージ耐性など)
4.6 Porous材料におけるPore分布の改善とEB/UV-Cure技術の適用効果
4.7 Porous材料におけるダメージ修復技術の効果
4.8 Pore後作りプロセスの提案とLow-k材料の適用限界の考察
4.9 Air-Gap技術の導入の考え方と構造・方式の比較、課題、現実的な解