【第1部】「パワー半導体用SiCウェハの製造・加工技術」
10:00~12:45
本セミナーでは、今後の自動車のxEV化に必須とされるSiCパワー半導体の製造に欠かせないウェハ材料技術に焦点を当て、現状のマーケティングとそれらを支える技術開発の動向から、現在のウェハ加工工程における課題、技術的解決策などについて議論する。特に、ウェハサイズが8インチと大口径化が進む中、アメリカ、中国が産業化を拡大する動向に対し、国内のウェハ加工技術の国際競争力の確保は今後、最も重視される。SiCインゴットの切断から研削・研磨、CMPまで、今後のウェハ加工工程の技術開発における戦略を考える機会としたい。
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【第2部】「SiC半導体表面の構造・形態制御」
13:30~16:15
本セミナーでは、SiC半導体の表面構造と表面形態制御について、以下の順に解説します。
はじめに、SiCの結晶構造に基づいた表面形態の特徴について紹介し、特に表面のステップおよびテラスについて詳しく解説します。その後、一般的なSiC表面形態の制御方法とそれぞれの特徴について述べ、ステップバンチング現象とそのメカニズムを解説します。最後に、SiC表面への結晶成長や、近年見出されたステップアンバンチング現象について紹介します。
1. 半導体の結晶構造と表面形態
2. 半導体表面形態制御方法
3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
4. SiC表面のステップアンバンチング現象