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~最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで~

SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイスの現状・課題と最新技術動向

★ Si-IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスは、今はどうなっているのか?
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!

セミナー概要

略称
パワーデバイス
セミナーNo.
st171204  
開催日時
2017年12月06日(水)10:30~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5F 第3講習室
講師
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏

【経歴・活動】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究、量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member
電気学会上級会員、応用物理学会会員
「世界を動かすパワー半導体 ‐IGBTがなければ電車も自動車も動かない‐」編集委員(電気学会出版)
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計,解析技術
価格
非会員: 48,600円(税込)
会員: 46,170円(税込)
学校関係者: 48,600円(税込)
価格関連備考
48,600円 (会員受講料 46,170円 )
定価:本体45,000円+税3,600円
会員:本体42,750円+税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン!(1名あたり定価半額の24,300円)】
 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
 ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
  (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
 ※他の割引は併用できません。
備考
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

習得できる知識
過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。SiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
趣旨
 インバーターや電源などのパワーエレクトロニクス機器に利用される「パワーデバイス」の中で、大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料に注目が集まっている。中でも、SiC/GaNの利用環境が急速に整っている。
 SiCは、太陽光発電向けパワーコンディショナーや、鉄道車両向けインバーターなどで次々と採用され、自動車業界がSiCに強い関心を寄せている。また、GaNを利用したパワーデバイスの製品化や研究開発も加速している。しかしながら爆発的に普及するという話は一向に聞こえてこない。その理由は何か?シリコンパワー半導体からSiC/GaN開発技術動向について、今後の市場予測を含め丁寧に解説する。
プログラム
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 高周波化のメリット
 1.5 Si-MOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 IGBT開発の歴史
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
 2.4 IGBT特性向上への挑戦
 2.5 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2.6 IGBT特性改善を支える技術
 2.7 薄ウェハ化の限界
 2.8 IGBT特性改善の次の一手
 2.9 新しいコンセプトのIGBT(RC-IGBT)開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 SiCのSiに対する利点
 3.4 SiC-MOSFETかSiC-IGBTか?
 3.5 SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
 3.6 SiCウェハができるまで
 3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.8 最近のSiC-MOSFETトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス
 3.10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3.11 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET  

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの対象領域
 4.4 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4.5 ノーマリ-オフ特性
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向

5.高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーデバイスの動作パターン
 5.4 パワーデバイス動作中の素子破壊例
 5.5 信頼性設計とシミュレーションの活用

6.まとめ

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