2019年10月04日（金）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
47,020円
（本体価格：42,745円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
49,500円 ( 会員受講料 47,020円 )
定価：本体45,000円＋税4,500円
会員：本体42,750円＋税4,270円
【2名同時申込みで1名分無料！（１名あたり定価半額の24,750円）】
※2名様とも会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。
初めてレジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品・開発を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、初心者から実務者まで広範囲の方を対象としています。レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、ユーザー側での評価手法などが習得できます.
現在、レジスト材料は、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、ＭＥＭＳ等の多くの電子産業分野において、世界市場で実用化されています。その市場規模は、年間1500億円におよび年々拡大しています。その反面、レジスト材料プロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、レジストユーザーの要求も幅広くなり、レジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。
１．レジスト・リソグラフィ産業の発展
1.1 レジスト材料/プロセスの技術トレンド
（高解像化の歴史、プロセスの多様化、高品位化）
1.2 技術分野と経済効果
（半導体、ディスプレイ、プリント基板、MEMS、マーケットシェア）
1.3 レジスト材料の高品質化（市場競争力を向上するには）
（高感度、高解像、LWR/LER、耐劣化性、高純度化＜1ppb、低欠陥）
1.4 レジストユーザーの導入基準とは（デバイスメーカーの認証評価）
（基本性能評価、Open/Short評価、デバイス信頼性評価、量産適用性）
２．リソグラフィプロセスの基礎(これだけは習得しておきたい)
2.1 レジスト材料／プロセスの最適化
（プロセスフロー、レジスト材料、ポジ型／ネガ型の選択基準、光化学反応メカニズム、パターン現像、PEB、
TARC/BARC、厚膜レジスト、平坦化、界面活性剤）
2.2 露光描画技術の最適化
（露光システム、レイリ―の式、解像力、焦点深度、液浸露光、重ね合わせ技術）
2.3 レジストコントラストで制御する
（光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善）
2.4 エッチングマスクとしてのレジスト
（プラズマとは、等方性/異方性エッチング、RIE、エッチング残さ、ローディング効果、
選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透と膨潤）
３．先端および応用技術
3.1 EUV技術と延命化プロセス
（EUV、k1<0.25の実現、位相シフト、液浸、ダブル／マルチパターニング技術、
LELE型、スペーサ／サイドウォール型、多層レジスト）
3.2 レジスト支援プロセス
（ペリクル、イメージリバーサル、表面難溶化プロセス、光造形、ナノインプリント）
3.3 プリント基板、ソルダーレジスト技術
（DFR/メッキプロセス、5G対応プリント基板技術、耐はんだ性）
3.4 シミュレーション技術(効果的な技術予測)
（レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析）
４．レジスト処理装置の要点（プロセス制御の重点ポイントとは）
4.1 処理装置に求められる要因（高精度化、タクトタイム、清浄度、二次汚染、温度管理）
4.2 コーティング（スピン、スキャン、ディップ、DFRラミネータ、ストリーエーション対策）
4.3 現像（TMAHの低濃度化、ディップ、パドル、スプレー、バブル欠陥、ウォータマーク）
4.4 乾燥ベーキング（ホット、クール、オーブン、減圧）
4.5 シランカップリング処理（バブラー、疎水化ベーク、評価法）
4.6 レジスト除去（ドライ/ウェット、処理液、残渣除去、物理除去）
５．レジスト異物欠陥対策（歩留り向上の最優先対策とは）
5.1 致命欠陥とは（配線上異物、ショート欠陥、バブル欠陥、塗布ミスト、接触異物）
5.2 プロセス欠陥と対策（乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ）
5.3 フィルタリング（フィルタリング機構、発塵対策、バブル対策）
5.4 欠陥計測法（o/s法、光散乱法、AFM法、ゼータ電位法）
６．パターン剥離と対策(付着マージンの確保には)
6.1 剥離メカニズムとは（付着促進要因と剥離加速要因、検査用パターン、付着力測定方法(DPAT法)）
6.2 付着促進要因とは (分子間相互作用とは、表面エネルギー、表面処理)
6.3 表面エネルギーによる付着性予測(付着エネルギーWa, 拡張エネルギーSとは)
6.4 過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる（最適な処理温度と処理時間）
6.5 剥離加速要因とは（応力/歪み、毛管力、熱変形、WBL）
6.6 乾燥プロセスでのパターン剥離を検証する（毛細管現象、パターン間メニスカス、エアートンネル）
6.7 レジスト膜の応力をin-situ測定する（減圧処理、応力緩和と発生、溶剤乾燥、拡散モデル）
6.8 パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい（アンダーカット形状、応力集中効果、表面硬化層）
6.9 Al膜上でのレジスト付着不良と解決方法（親水化、疎水化処理、酸化被膜形成、WBL）
７．レジストパターンの高精度化と高品位化
7.1 高分子ナノ凝集体の物性とコントロール（集合体分離、ナノ空間、ナノラフネス）
7.2 LER/LWR（表面難溶化層、側面粗さ）
7.3 パターン熱だれ・変形対策（樹脂の軟化点、パターン形状依存性、体積効果、DUVキュア）
7.4 レジスト膜の膨潤制御（アルカリ浸透、クラウジウス・モソティの式、屈折率評価、導電性解析）
８．質疑応答、技術開発および各種トラブル相談
（日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます）
レジスト材料、レジストプロセス、パターン欠陥、レジスト処理装置、ユーザー評価基準
