エッチング技術の進化には新規プロセスガスの開発が、
エッチングプロセスの制御にはプロセスガスの電子物性への理解が欠かせません。
本セミナーでは、そんな、エッチングの進展や制御に重要となるプロセスガスに焦点を当て、
近年発展している計算化学を用いて得られた様々な知見を提供します。
１．プラズマ生成の基礎
・今後の課題…負イオンおよびラジカルの計測とプラズマシミレーション
・負イオンは無視してよいか?
２．計算化学の概要
・計算方法の種類：密度汎関数法とab initio法
・各種計算方法の優位性
３．計算化学で明らかになったプロセス
・Siエッチングにおける酸素及び窒素添加効果
・ゲート付近に残留したSiO2のダメージレス化学エッチング
・イオン及びラジカルの生成機構と選択比
・気相中の電荷交換、表面からの脱離反応、負イオン放出
４．計算化学で明らかになった一次解離過程と生成物
・メタン系フッ化物
・エタン系フッ化物
・C3F6, C3F8,C4F6, c-C4F8,c-C5F8
５．計算化学から得られた知見により開発されたエッチング技術
・窒化膜の高選択比エッチング
・NO + F2 → FNO + F 等の化学反応
６．計算化学から見た新規エッチングガスの提案
・CxHyFz化合物
・その他の化合物(CF3NO,CF3NH2,SiH4 他)
７．計算化学から見た今後の研究課題
・負イオン形成機構と計測技術およびその役割
・計算化学から得られたデータを基にした断面積の見積もり
※セミナーの進行具合によって講演項目は一部省略することがあります。