量子ドットの発光波長制御、高密度化、低密度、配列・位置制御、、、
量子ドットデバイスの開発と性能の向上のために
エピタキシャル量子ドットのデバイス応用
さらなる高密度化と高均一化、デバイス性能の向上を目指して
基礎的な解説と実際の実験データやデバイス試作例を交えて解説
1.量子ドットの基礎
1-1 半導体ナノ構造の展開
1-2 半導体量子ドット構造
2.量子ドットのエピタキシャル成長法
2-1 半導体エピタキシャル成長技術の進展
2-2 量子ドットのエピタキシャル成長法の基礎
2-3 量子ドットのエピタキシャル成長過程
3.量子ドット構造の評価解析法
3-1 走査型プローブ顕微鏡
3-2 走査電子顕微鏡
3-3 反射高速電子線回折
3-4 透過電子顕微鏡
3-5 その他の測定解析法
4.エピタキシャル量子ドットの構造制御
4-1 量子ドットの高均一化
4-2 量子ドットの発光波長制御
4-3 量子ドットの高密度化
4-4 量子ドットの低密度化
4-5 量子ドットの配列・位置制御
5.エピタキシャル量子ドットのデバイス応用
5-1 量子ドットレーザへの応用
5-2 量子ドット広帯域LEDへの応用
5-3 量子ドット単一光子発生器への応用
5-4 量子ドット共鳴トンネルダイオードへの応用
5-5 量子ドット太陽電池への応用
5-6 その他
6.まとめ、今後の課題と展望
質疑応答