電解めっき(Cu,Sn-Cu, Au,Ni)、無電解めっき(Ni、ジンケ-ト処理)について課題や膜形成のポイントを解説!

めっきの基礎と膜形成・観察・解析技術
~SEM(走査型電子顕微鏡)およびFIB(集束イオンビーム)法によるめっき膜の観察・評価について~

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セミナー概要
略称
めっき膜
セミナーNo.
151213
開催日時
2015年12月24日(木) 12:30~16:00
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
江東区産業会館 第1会議室
価格
非会員:  50,906円 (本体価格:46,278円)
会員:  48,125円 (本体価格:43,750円)
学生:  11,000円 (本体価格:10,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
 ★1名様申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
 ★2名様同時申込の場合、2人目無料(2名で49,980円)になります。
学校関係者価格は、企業に在籍されている研究員の方には適用されません。
定員
30名  ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
資料付き
講座の内容
受講対象・レベル
・めっき法に興味を持っている技術者、研究者、学生
・薄膜および薄膜素子を研究開発、量産されている解析に興味のある初中級者
 
習得できる知識
・めっきの基礎知識
・めっき膜形成におけるポイント
・SEMの信号モードと解析内容の違い
・FIBによる断面観察技術のポイント
・FIBによるTEM用試料の作製とSTEM観察、組成分析の実際
 
趣旨
 電気化学析出法であるめっき法を用いた膜形成、評価例さらに応用について紹介する。電解めっきの例としてはCu,Sn-Cu, Au,Ni,めっき.無電解めっきとしては、Niめっき、ジンケ-ト処理について課題となる点を取り上げ、膜形成におけるポイントについて紹介する。また、めっき膜評価として膜の形態観察、結晶構造評価、機械特性評価について膜作製条件との関係について述べる。最後にめっき応用例としてAuナノポーラス構造の生成や評価についても述べる。めっき法を用いた膜形成の基礎検討から工業化レベルまでの知識が得られる。
 
プログラム
第1部 12:30~14:10
「電解・無電解めっき法を用いた膜形成および評価」
1.はじめに
2.めっきについて ~電気化学の観点から~
3.電解めっきについて
 3-1 Cuめっき
 3-2 Sn-Cuめっき
 3-3 Auめっき
 3-4 Niめっき(Ni-Feめっき)
4.無電解めっきについて
5.めっき応用例
【質疑応答・名刺交換】

第2部 14:20~16:00
「走査型電子顕微鏡SEMおよび集束イオンビームFIB法による薄膜解析」
1.はじめに
2.走査型電子顕微鏡による観察
 2-1 SEMによる分析
  2-2-1 SEMの構造
  2-2-2 SEMからの信号
 2-2 電子銃、加速電圧と分解能
  2-2-1 電磁レンズと分解能
  2-2-2 電子放出
 2-3 検出器とSEM像の違い
  2-3-1 検出器の原理
  2-3-2 SEM像の違い
 2-4 断面観察法
  2-4-1 機械研磨
  2-2-4 Arビームによる研磨
3.FIB/SEMによる観察    
 3-1 FIB観察法の概略
  3-1-1 FIBの原理
  3-1-2 FIB/SEMの利点
 3-2 FIB/SEM加工の実際
 3-3 STEM、TEM観察法
  3-3-1 極薄膜加工およびマクロサンプリング法の実際
  3-3-2 STEM、TEM観察
4.組成分析
 4-1 薄膜の組成分析
 4-2 EDXによる組成分析の概略
 4-3 薄膜組成の定性/定量分析
  4-3-1 組成分析の問題点
  4-3-2 薄膜の定量組成分析
 4-4 局所分析
  4-4-1 局所的組成分析の課題
  4-4-2 STEによる組成分析と分解能
5.その他
【質疑応答・名刺交換】
 
キーワード
鍍金(メッキ)の必須基礎知識とめっき膜の形成・観察・分析のポイントを紹介する。
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