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シリコンならびにSiC/ GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

~車の電動化(EV,HEV)対応に向けた性能、信頼性の向上~

セミナー概要

略称
パワーデバイス
セミナーNo.
191247  
開催日時
2019年12月25日(水)10:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
江東区文化センター 3F 第1研修室
講師
国立大学法人 筑波大学 数理物質系 教授・博士(工学) 岩室 憲幸 氏
<略歴・学協会など>
富士電機株式会社に入社、
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。
SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会上級会員、応用物理学会会員
価格
非会員: 55,000円(税込)
会員: 49,500円(税込)
学生: 11,000円(税込)
価格関連備考
■会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
 ・1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。
■ 会員登録とは? ⇒ よくある質問
■ 学生価格は、教職員や研究員、企業に在籍されている学生には適用されません。また、当日学生証をご持参ください。

※2019年10月1日以降に開催されるセミナーの受講料は、お申込みいただく時期に関わらず消費税が10%になります。
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
昼食、資料付

講座の内容

習得できる知識
1. パワーデバイスの最新技術動向
2. SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題
3. SiCデバイス実装技術
4. SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
5. SiCならびにGaNパワーデバイスの今後の見通し
趣旨
 2017~18年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車、EVシフトなど車の電動化開発へ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体で車の電動化開発がいよいよ本格化した年となった。EV,HEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて丁寧に解説したい。

プログラム
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワー半導体の種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは?
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1 IGBT開発のポイント
 2-2 IGBT特性向上への挑戦
 2-3 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
 2-4 IGBT特性改善を支える技術
 2-5 薄ウェハ化の限界
 2-6 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのSiに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-ダイオードそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
 3-8 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
 3-9 SiCのデバイスプロセス
 3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-11 最新SiCトレンチMOSFET 
  
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-5 GaN-HEMTの課題
 4-6 Current Collapse現象メカニズム
 4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
 4-8 縦型GaNデバイスの最新動向

5.高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6.まとめ

【質疑応答・名刺交換】


キーワード
高周波,パワエレ,MOSFET,IGBT,SiC,GaN,高温対応実装,EV,PHV,

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