2019年12月25日（水）
10:30～16:30
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※2019年10月1日以降に開催されるセミナーの受講料は、お申込みいただく時期に関わらず消費税が10％になります。
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
1. パワーデバイスの最新技術動向
2. SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題
3. SiCデバイス実装技術
4. SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
5. SiCならびにGaNパワーデバイスの今後の見通し
2017～18年は、電気自動車（EV）の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車、EVシフトなど車の電動化開発へ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体で車の電動化開発がいよいよ本格化した年となった。EV,HEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて丁寧に解説したい。
１．パワーエレクトロニクスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは？
1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？
２．最新シリコンIGBTの進展と課題
2-1 IGBT開発のポイント
2-2 IGBT特性向上への挑戦
2-3 薄ウェハ フィールドストップ（FS）型IGBTの誕生
2-4 IGBT特性改善を支える技術
2-5 薄ウェハ化の限界
2-6 最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 SiCのSiに対する利点
3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか？
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-ダイオードそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
3-8 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか？
3-9 SiCのデバイスプロセス
3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
3-11 最新SiCトレンチMOSFET
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
4-4 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-5 GaN-HEMTの課題
4-6 Current Collapse現象メカニズム
4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
５．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
６．まとめ
【質疑応答・名刺交換】
高周波,パワエレ,MOSFET,IGBT,SiC,GaN,高温対応実装,EV,PHV,
