2014年07月28日（月）
13:00～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
問い合わせフォーム
非会員：
44,000円
（本体価格：40,000円）
会員：
41,800円
（本体価格：38,000円）
学生：
44,000円
（本体価格：40,000円）
会員受講料 41,040円（税込）
【2名同時申込みで1名分無料（１名あたり定価半額の21,600円）】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
High-k膜の物性の基礎，高誘電率化のための材料設計指針，界面ダイポール現象による閾値シフトの原因と制御，
Ge熱酸化機構とその制御方法，SiC熱酸化機構とその制御方法
かつてSi上の熱酸化の緻密な制御によって支えられてきたゲート絶縁膜技術は，高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）の導入によって複雑化している。
本講演ではHigh-k膜の基礎的な理解と，その導入に伴って新たに生じる諸現象について解説する。また，ゲート絶縁膜形成プロセスはCMOS用の高移動度チャネルとなるGeや，パワーMOSFET用のSiCにおいて重要な役割を担っている。これら２つの新たなMOS界面について，その特性制御のための技術の展開を紹介する。
１．High-k膜の基礎物性と誘電率の制御
1.1 High-k膜に要求される物性
1.2 誘電率の起源，高誘電率化のための材料設計
1.3 元素ドーピングによるHigh-k膜の物性制御
２．High-k膜導入による閾値シフト
2.1 MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト
2.2 界面ダイポール効果によるフラットバンド電圧シフトとその機構の理解
３．熱酸化膜形成プロセスの新展開
3.1 Ge熱酸化機構の理解に基づくMOS界面特性制御と高移動度MOSFETの実現
3.2 SiCパワーMOSFETのためのMOS界面形成技術
□ 質疑応答 □
