~スラリー、パッドの役割と材料除去メカニズム~

CMP技術の基礎【名古屋開催】
半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴、それに用いられるスラリー、パッドのあるべき姿
シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPの現状と将来の方向性

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
CMP【名古屋開催】
セミナーNo.
st170902
開催日時
2017年09月08日(金) 13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
ウインクあいち 12F 1209
価格
非会員:  44,000円 (本体価格:40,000円)
会員:  41,800円 (本体価格:38,000円)
学生:  44,000円 (本体価格:40,000円)
価格関連備考
43,200円 (会員受講料 41,040円 )
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円
【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の21,600円)】
  ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で追加受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
備考
資料付
講座の内容
趣旨
 CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられるスラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムを理解することにより、パッドやスラリーのあるべき姿を考察する。シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPについてもその現状と、将来の方向性について言及する。
プログラム

1.CMPの基礎
 ○CMP平坦化工程の分類
  ・ILD
  ・Wプラグ
  ・STI、Cuダマシン
 ○平坦化メカニズム
  ・グローバル平坦化
  ・ローカル平坦化
 ○最新のCMP応用工程
  ・highkメタルゲート
  ・FinFet
 ○各種スラリーの基礎
  ・砥粒の種類~アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒
  ・工程別スラリーの特徴
  ・STI Wプラグ Cu/バリア
 ○各種研磨パッドの基礎
  ・研磨パッドの種類
  ・パッド物性と研磨特性の関係
  ・パッド解析手法

2.各種基板のCMP
 ○Si
 ○サファイア
 ○SiC
 ○GaN
 ○LT/LN

3.CMPの材料除去メカニズム
 ○研磨メカニズムモデルの歴史
 ○Feret径モデル
 ○Feret径モデルの数値計算による妥当性検証
 ○モデルに基づく開発のヒント

まとめ

関連するセミナー
関連する書籍
関連するタグ
フリーワード検索