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~ドライエッチングのプロと材料メーカーエンジニアのための特別講座~
~基礎から最先端のアトミックレイヤーエッチング(ALE)までを詳説~
~極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムがわかる!~

ドライエッチング技術の基礎と表面反応の制御および最新技術動向とALE

※会場が変更になりました(1/18更新)
きゅりあん → 連合会館 2F 204会議室(千代田区)

★ 新春:大好評 累計第5回!基礎から最先端の原子レベルエッチングまで、6時間集中の特別講座。
★ 単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法を解説!
★ 実践的で密度の濃い内容です。 また、最近ホットで注目のアトミックレイヤーエッチングまで聞きどころです。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要

略称
ドライエッチングとALE
セミナーNo.
st180126  
開催日時
2018年01月31日(水)10:00~17:00
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
連合会館(旧:総評会館) 2F 204会議室
価格
非会員: 54,000円(税込)
会員: 51,300円(税込)
学生: 54,000円(税込)
価格関連備考
54,000円 (会員受講料 51,300円)
定価:本体50,000円+税4,000円
会員:本体47,500円+税3,800円
【複数名同時申込特典】
2017年12月以降のお申込みは、上記受講料 より (同一法人に限ります)
2名で参加の場合1名につき7,560円割引
3名以上で参加の場合1名につき10,800円割引
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
備考
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

習得できる知識
・ドライエッチングのメカニズムから応用まで、難しい数式を使うことなく全容を理解することができる。
・ドライエッチングを支配するパラメータとその制御法が分かり、エッチングプロセスを組立てる上での指針を得ることができる。
・半導体の生産で実際に使われているドライエッチングプロセス・装置について学ぶことができ、実践的な知識が身に付く。
・プラズマダメージの発生メカニズムから対策まで、その全容を理解することができる。
・最新の技術動向およびアトミックレイヤーエッチング(ALE)について学ぶことができる。
趣旨
 ドライエッチング技術は、半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プラズマを用いた物理化学反応でエッチングが進むため、電気、物理、化学の総合的な知識を必要とし、かつチャンバー内で起こっている現象が複雑なため理解を難しくしています。特に半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、自分たちの技術との関連でドライエッチングを理解することはきわめて難しい状況にあります。デバイス制作への応用に目を向けてみますと、Cuダマシンエッチング、メタルゲート/ High-kエッチング、FinFETエッチング、ダブルパターニングなど次々と新しい分野が生まれており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング(ALE)が必要となってきています。
 本セミナーでは、ドライエッチング技術の基礎から最先端の技術動向まで分かりやすく解説します。セミナーでは、まずドライエッチングの基礎から始め、極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるよう解説します。各種材料のエッチングでは単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法について詳細に解説します。ここでは被エッチ膜表面での反応に焦点を絞り、プラズマからから被エッチ膜表面への入射種とエッチ速度、選択比、形状との相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説します。また、プラズマダメージについて解説し、その全容が理解できるようにしていることも特徴の一つです。最新技術動向では、最先端デバイスの中でドライエッチングがどのように用いられているかを具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。また最近ホットな話題となっているALEについても詳細に解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、入門としても、またドライエッチングのプロを目指す方にも最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの全体像を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。
プログラム
1.はじめに-半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
 1.1 ドライエッチングの概要
 1.2 LSIの高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2.ドライエッチングのメカニズム
 2.1 プラズマの基礎
 2.2 ドライエッチングの反応過程
 2.3 異方性エッチングのメカニズム
 2.4 エッチ速度

3.各種材料のエッチング-表面反応制御によるプロセスの構築
 3.1 ゲートエッチング
  3.1.1 選択比を支配するキーパラメータ
  3.1.2 CDのウェハ面内均一性の制御
  3.1.3 Poly-Si、WSi2/Poly-S、W/Poly-Siゲートエッチング
 3.2 SiO2エッチング
  3.2.1 SiO2エッチングのメカニズム
  3.2.2 選択比を支配するキーパラメータ
  3.2.3 形状制御
  3.2.4 高アスペクト比ホールエッチング、SACエッチング

4.ドライエッチング装置
 4.1 CCPプラズマエッチャー
 4.2 マグネトロンRIE
 4.3 ECRプラズマエッチャー
 4.4 ICPプラズマエッチャー
 4.5 静電チャック

5.ドライエッチングダメージ
 5.1 Si表面に導入されるダメージ
 5.2 チャージアップダメージ
  5.2.1 チャージアップダメージの評価方法
  5.2.2 チャージアップの発生メカニズム
  5.2.3 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
  5.2.4 パターンに起因したゲート酸化膜破壊

6.最新技術動向
 6.1 Low-k Cuダマシンエッチング
 6.2 メタルゲート/High-kエッチング
 6.3 FinFETエッチング
 6.4 ダブルパターニング
 6.5 3D IC用エッチング技術

7.アトミックレイヤーエッチング(ALE)
 7.1 ALEの歴史
 7.2 今なぜALEが必要か
 7.3 ALEの原理と特徴
 7.4 SiのALE
 7.5 GaN、AlGaNのALE

8.おわりに-ドライエッチング技術の今後の課題と展望

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