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★光リソグラフィ延命化の本命となる技術、ダブル/マルチパターニングの様々な課題への対応力を強化。

ダブルパターニング・マルチパターニング
技術の基礎とプロセスおよび材料の最適化

寸法ばらつき、重ね合わせ誤差、スペーサ欠陥、パターン欠落、、、etc.

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セミナー概要

略称
ダブル/マルチパターニング
セミナーNo.
st190311  
開催日時
2019年03月27日(水)13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 4F 研修室
価格
非会員: 43,200円(税込)
会員: 41,040円(税込)
学生: 43,200円(税込)
価格関連備考
43,200円 ( 会員受講料 41,040円 )
定価:本体40,000円+税3,200円
会員:本体38,000円+税3,040円

【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の21,600円)】
  ※2名様とも会員登録が必須です。
  ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
  ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
   (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。
備考
※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

受講対象・レベル
・現在、リソグラフィ業務に従事しているから、これから微細加工技術に業務としてかかわる方
・光リソグラフィの基礎知識を有している方が好ましい。
習得できる知識
・リソグラフィ技術のトレンド
・ダブル/マルチパターニングの概要
・プロセス最適化の手法
趣旨
 今日の半導体デバイスの進展を支えてきた技術の一つに微細パターン形成技術がある。1985年代初めに数μmのオーダであった最小加工寸法は、現在数10 nmのレベルまで微細化され、30年で1/100にまで縮小された。すでにArF (193 nm) の波長を用いた光リソグラフィでは、高NA化は限界に達しており、レイリーの式におけるk1ファクターの縮小が可能となるダブル/マルチパターニングリソグラフィが光リソグラフィの延命化技術の本命となる。ダブル/マルチパターニング技術では、工程の複雑さ、寸法ばらつき、重ね合わせ、パターン分割などの様々な高精度化へ技術課題が存在する。
 本セミナーではこれらの課題解決に注目し、ダブル/マルチパターニング技術における基礎とプロセス材料の最適化について述べる。
プログラム

1.光リソグラフィーの技術トレンド
 1.1 パターン解像性(k1=0.25解像限界)
 1.2 微細化の延命化技術の概要
   (多層、位相シフト、超解像、液浸、ダブル/マルチパターニング)

2.ダブル/マルチパターニング
 2.1 k1<0.25の実現(多重露光との差)
 2.2 パターニングシステム
  2.2.1 リソ・エッチ・リソ・エッチ(LELE)型
  2.2.2 スペーサ/サイドウォール型
  2.2.3 簡易化プロセス(材料プロセス)
 2.3 高精度化技術
  2.3.1 寸法ばらつき抑制(要因分析と設計基準)
  2.3.2 重ね合わせ誤差低減(評価と計測手法)
  2.3.4 パターン分割ルール(効果的なパターン設計)
  2.3.5 光近接効果補正(OPC)(パターン形状の高精度化)
  2.3.6 エッチング(スペーサ欠陥の低減)
  2.3.7 パターン欠陥撲滅(歩留まり向上への取り組み)

3.質疑応答・技術相談
  (日頃のトラブル・研究開発の相談に対応します。)

キーワード
光リソグラフィ、ダブルパターニング、マルチパターニング、微細加工、半導体製造

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