2020年11月16日(月)
13:00~16:30
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非会員:
44,000円
(本体価格:40,000円)
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定 価 :1名につき 44,000円(税込)
会員価格:1名につき 41,800円 2名の場合 44,000円、3名の場合 66,000円(税込)
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※資料付
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・半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
・ドライ/ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
・ALE(アトミック レイヤー エッチング)の原理
・ALEの各種手法、および様々な材料のALE研究開発事例
半導体加工の微細化は原子層レベルに到達しており、3次元構造化と積層化による集積度向上が加速しています。また、ポストスケーリングに向けて、新構造トランジスタや新材料の検討が進んでいます。このため今後の半導体製造では、様々な膜種を原子層レベルの寸法精度でエッチング加工する技術が重要になります。
そこで本講座では、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説します。
1. 半導体デバイス製造におけるエッチング
1) エッチングとは
2) エッチング工程の種類
2. デバイス動向とエッチングの先端課題
1) ロジック/メモリーデバイスの動向
2) エッチングの歴史と先端課題
3. エッチングの基礎
1) プラズマエッチング
2) ウェットエッチング
4. 従来エッチングの課題
1) 面内分布
2) エッチング損傷
5. アトミック レイヤー エッチング(ALE)の基礎
1) ALEの原理
2) ALE手法の分類
6. 有機金属錯体反応による等方性ALE
1) La2O3
2) Co
7. プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
1) Si3N4
2) SiO2
3) TiN
4) W
8. ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
1)Si
9. フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
1)Si3N4
10. 今後の課題
□質疑応答・名刺交換□