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微細化・高精密化への要求が止まらない半導体技術の次なるキー技術であるALE
ALE技術の基礎から各種被膜でのエッチング事例、今後への課題とは・・・
メーカーの研究開発現場に携わる講師がALEの現状をお伝えします!

ALE(アトミック レイヤー エッチング)技術の基本原理と最新動向、今後の展望

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セミナー概要

略称
ALE
セミナーNo.
st201109  
開催日時
2020年11月16日(月)13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5F 第1講習室
価格
非会員: 44,000円(税込)
会員: 41,800円(税込)
学生: 価格未設定
価格関連備考
定 価 :1名につき 44,000円(税込)
会員価格:1名につき 41,800円 2名の場合 44,000円、3名の場合 66,000円(税込)

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
持参物
※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

習得できる知識
・半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
・ドライ/ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
・ALE(アトミック レイヤー エッチング)の原理
・ALEの各種手法、および様々な材料のALE研究開発事例
趣旨
 半導体加工の微細化は原子層レベルに到達しており、3次元構造化と積層化による集積度向上が加速しています。また、ポストスケーリングに向けて、新構造トランジスタや新材料の検討が進んでいます。このため今後の半導体製造では、様々な膜種を原子層レベルの寸法精度でエッチング加工する技術が重要になります。
 そこで本講座では、半導体デバイス製造の動向を紹介した後、従来のドライ/ウェットエッチングの基礎と課題、ALEの基本原理、そして各種材料のALE開発事例までを、メーカの研究開発現場にいる講師が、実経験を交えて分かりやすく解説します。
プログラム
1. 半導体デバイス製造におけるエッチング
   1) エッチングとは
   2) エッチング工程の種類

2. デバイス動向とエッチングの先端課題
   1) ロジック/メモリーデバイスの動向
   2) エッチングの歴史と先端課題

3. エッチングの基礎
   1) プラズマエッチング 
   2) ウェットエッチング

4. 従来エッチングの課題
   1) 面内分布
   2) エッチング損傷

5. アトミック レイヤー エッチング(ALE)の基礎 
   1) ALEの原理
   2) ALE手法の分類

6. 有機金属錯体反応による等方性ALE
   1) La2O3
   2) Co

7. プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
   1) Si3N4
   2) SiO2
   3) TiN
   4) W

8. ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
   1)Si

9. フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
   1)Si3N4

10. 今後の課題

□質疑応答・名刺交換□

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