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第1部 ミストCVD技術の開発初期
１．緒言
1.1 自己紹介
1.2 高知工科大学について
1.3 高知工科大学 総合研究所について
２．機能膜作製技術の現状とこれからの開発ポイント
2.1 どういった物に利用されているのか
2.2 それらを作製するシステムの大きさやコストについて
2.3 省エネプロセスの必要性とそれが達成されない理由
2.4 大気圧下で対象とする機能膜を形成する為のポイント
３．ミストを利用した機能膜形成技術「ミストCVD」の特徴
3.1 ミスト法とは
3.2 従来の成膜手法に対するミストCVD法の立場
3.3 超音波噴霧を利用した機能膜形成技術の歴史
４．原料供給手段に超音波噴霧を利用する利点
4.1 各種液滴の発生法
4.2 一般環境下で薄膜を形成するために適した液滴発生法とは
５．ミスト流を用いた機能膜作製システムの装置群
5.1 ミスト流を用いた機能膜作製システム
5.2 原料供給器
5.3 成膜反応装置周囲の基本システム
６．ミストCVDの物理１
6.1 均質膜を作製する為の３つの手段
6.2 液滴のライデンフロスト状態
第2部 ミストCVD技術の応用と発展
７．ファインチャネル(FC)システムvsホットウォール(HW)システム
7.1 解析構造・条件
7.2 結果
８．ミストCVDで作製出来る機能膜
8.1 これまでに形成できた薄膜種
8.2 酸化亜鉛系(ZnO)
8.3 酸化ガリウム系(Ga2O3)
8.4 酸化アルミニウム(AlOx)
8.5 酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)
8.6 有機膜
8.7 層状硫化モリブデン(MoS2)
8.8 その他
９．ミストCVDで作製したデバイス
9.1 大気圧手法により形成された酸化物TFTの現状
9.2 ミストCVDによるIGZO TFTの作製
9.3 特性および最適化
9.4 その他のデバイス(IGZO, Ga2O3, SnO2 MESFET, Organic SC等)
１０．ミストCVDによる量子素子の作製とその特徴
10.1 大気圧下で量子井戸が形成できる理由
10.2 作製した量子井戸の特徴
１１．ミストCVDの物理２
11.1 ミスト同士は衝突しない
11.2 複合反応の抑制
11.3 組成制御技術
１２．ミストCVDの物理３
12.1 反応炉内でのミスト液滴の挙動
12.3 ミスト流を利用した成膜プロセスにおける反応メカニズム
１３．まとめ
13.1 ミストCVDとこれからのミストCVD
13.2 ミストCVDの他なる可能性
--- 質疑応答 ---