※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
1．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
1-1 SiCの基礎と物性
(1) 身近なSiC
(2) ワイドギャップ半導体と特徴
(3) SiCウェハ
(4) 他半導体材料とSiCの違い
1-2 SiCパワー半導体への応用
(1) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
(2) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
1-3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
(1) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
(2) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
(3) SiCウェハ開発に対する今後の期待
2．SiC単結晶製造技術
2-1 SiC単結晶の合成・成長方法
(1) SiCの合成
(2) SiC単結晶の量産技術
(3) 各種SiC単結晶成長技術の特徴
(4) シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
2-2 結晶多形と特徴
(1) SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
(2) 多形制御技術
2-3 結晶欠陥と制御
(1) SiC単結晶の結晶欠陥と影響
(2) SiC単結晶の欠陥評価技術
(3) SiC単結晶の欠陥抑制技術
2-4 大口径結晶の成長
(1) SiC単結晶の口径拡大成長技術
(2) 大口径化がもたらす効果と技術課題
2-5 n/p型の伝導度制御
(1) SiC単結晶の伝導度制御
(2) SiC単結晶の低抵抗化技術
3．SiCウェハ加工技術
3-1 SiCのウェハ加工
(1) SiCウェハ加工工程と技術課題
3-2 ウェハ切断工程
(1) SiC単結晶の切断技術
(2) 切断工程の高速化技術
(3) 切断工程の課題と新しい切断技術
3-3 ウェハ研削工程
(1) SiCウェハの研削加工
(2) 研削加工の高速・鏡面化技術
(3) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
3-4 ウェハ研磨工程
(1) SiCウェハの研磨加工
(2) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
(3) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
3-5 CMP工程
(1) SiCウェハのCMP加工
(2) CMPの高速化技術
(3) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
3-6 加工変質層と評価
(1) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
(2) 加工変質層の評価技術
(3) 加工変質層の抑制技術
3-7 大口径化対応
(1) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
(2) 大口径化対応へ向けた解決策の検討
【質疑応答】