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酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開【LIVE配信】

※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
酸化ガリウムパワーデバイス【WEBセミナー】
セミナーNo.
230827
開催日時
2023年08月07日（月） 13:00～17:00
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  38,500円 （本体価格：35,000円）
価格関連備考
会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。
　・1名申込の場合、49,500円（税込）→38,500円（税込）
　・2名同時申込の場合、合計99,000円（税込）→合計49,500円（税込）
　　　※両名の会員登録が必要です。

会員登録とは？　⇒　よくある質問
定員
30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
持参物
受講にはWindowsPCを推奨しております。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
備考
・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方。
習得できる知識
・Ga2O3物性の基礎知識
・バルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報
趣旨
　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
プログラム

１．はじめに
　　1.1  Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
　　1.2  将来的なGa2O3デバイスの用途

２．Ga2O3バルク融液成長技術

３．Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
　　3.1  MBE成長
　　3.2  HVPE成長
　　3.3  MOCVD成長

４．Ga2O3トランジスタ開発
　　4.1  横型MESFET
　　4.2  横型DモードMOSFET
　　4.3  横型フィールドプレートMOSFET
　　4.4  縦型DモードMOSFET
　　4.5  縦型EモードMOSFET
　　4.6  国内外のGa2O3 FET開発動向

５．Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
　　5.1  HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
　　5.2  縦型フィールドプレートSBD
　　5.3  縦型ガードリングSBD
　　5.4  国内外のGa2O3 SBD開発動向

６．まとめ、今後の課題

【質疑応答】

キーワード
酸化ガリウム,Ga2O3,パワー,デバイス,エレクトロニクス,半導体,講座,研修,セミナー
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