⭐本セミナーでは半導体デバイス、プロセス、実装工程、システム設計の実際について必要な知識を、装置、材料の変遷の歴史を踏まえて、最新の動向まで解説します!
⭐前編では前工程を中心に徹底解説いたします!
本セミナーは前編と後編の2部構成となっています。前編または後編のみの受講も可能です。
各セミナー内容の詳細はプログラムをご確認ください。
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
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第1章 今、なぜシリコンか?
1.シリコン半導体の特長
2.シリコンvs.化合物半導体
2‐1.半導体の売り上げ
2‐2.半導体と用途
3.各種半導体物性比較
4.シリコン資源
第2章 珪石から集積回路の出来るまで
1.珪石から金属シリコンの製造
2.金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
3.単結晶作製
4.円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
5.スライシング
6.ベベリングとラッピング
7.エピタキシャル成長とSOI
8.前工程
8‐1.バイポーラプロセス概略
8‐2.CMOSプロセス概略
9.後工程
9‐1.バックグラインド
9‐2.ダイシング
9‐3.ダイボンド
9‐4.ワイヤボンド
9‐5.モールド
9‐6.リードカット、マーキング、テスト
第3章 半導体物理
1.シリコン結晶
2.半導体の導電形
3.ドーパントの種類
4.半導体と周期律表
第4章 半導体プロセス(前工程)の概要
1.基本プロセス
2.プロセスのパターン
2‐1.不純物導入パターン
2‐2.成膜のパターン
2‐3.金属配線のパターン
2‐4.セルフアライメント
第5章 前工程
1.フォトリソグラフィー工程
1-1.フォトリソグラフィーとは
1-2.フォトリソグラフィー工程の説明
1-3.レンズ系の解像力と焦点深度
1-4.露光用光源
(1)超高圧水銀灯
(2)エキシマレーザー
(3)EUV光源
1-5.各種露光方式
1-6.レジストコーターとデベロッパー
1-7.フォトレジスト
1-8.レチクル(マスク)とペリクル
1-9.超解像
1-10.近接効果補正
2.洗浄工程とウェットエッチング工程
2-1.ウェットプロセスの概要
2-2.ウェットエッチング
3.酸化・拡散工程
3-1.目的と原理
3-2.酸化の法則
3-3.その他の酸化
3-4.酸化・拡散装置
3-5.熱電対
3-6.ランピング
3-7.選択酸化
3-8.測定装置
3-9.酸化膜の色と膜厚
4.イオン注入工程
4-1.イオン注入の目的と原理
4-2.イオン注入工程の概要
4-3.イオン注入装置
4-4.中電流イオン注入装置の各部名称
4-5.イオン注入で起こる問題
5.CVD工程
5-1.プラズマのまとめ
5-2.各種CVD
5-3.CVD装置外観
5-4.減圧CVDとステップカバレッジ
5-5.原子層堆積(ALD)
6.スパッタ工程
6-1.スパッタの原理と目的
6-2.各種スパッタ
7.ドライエッチング工程
7-1.ドライエッチングの原理と目的
7-2.等方性と異方性
7-3.ドライエッチング工程の概要
7-4.プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
7-5.ケミカルドライエッチング
7-6.ドライエッチングガス
7-7.終点検出
7-8.ドライエッチングの評価
7-9 ローディング効果
8.エピタキシャル成長
8-1.エピタキシャル成長の基本
8-2.ヘテロエピタキシャル成長
8-3.原子層エピタキシャル成長(ALE)
9.CMP工程
9-1.CMP工程概要
9-2.CMP適用工程例
10.ウェハテストとプローブテスト
10-1.はじめに
10-2.ウェハテスト
10-3.プローブテスト
11.クリーンルーム
11-1.防塵管理
11-2.クリーンルームの方式
11-3.HEPAフィルター、ULPAフィルターとケミカルフィルター
11-4.ミニエンバイロメント方式
12.超純水
12-1.超純水とは
12-2.超純水の品質
12-3.超純水製造装置
13.真空機器、ガス
13-1.真空ポンプ
13-2.真空計
13-3.真空計と測定領域
13-4.ヘリウムリークディクタと四重極質量分析計
13-5.ガスボンベの塗色