★CMPのモニタリング手法から評価手法、微粒子計測などの研究事例、SiC高速研磨事例、半導体におけるCMPの将来展望まで詳解！！
こちらは3/11実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。
1．CMP技術が導入背景
1-1．平坦化手法としてのCMPの導入
1-2．リソグラフィーとCMPスペックとの関係
1-3．ダマシン法におけるCMPの適用
1-4．研磨レートの考え方
1-5．ディッシング・エロージョンの問題
1-6．STI-CMPへの適用事例
1-7．Cu―CMPにおける選択比の考え方
2．CMP装置の概要パワー半導体とシリコン半導体の違い
2-1．研磨レートの大幅な違い
2-2．装置構成
2-3．スラリーについて
2-4．ポリシングパッドについて
2-5．シリコン半導体での適用例
2-6．パワー半導体の適用例
2-7．まとめ
3．シリコン半導体に関する研究事例
3-1．CMPモニタリング手法について（モアレ検出法の導入）
3-2．ポリシングパッドの表面モニタリング
3-3．低屈折立透明パッドを適用したスラリー開発
3-4．材料除去メカニズムの考案
4．パワー半導体に関する研究事例
4-1．ハワー半導体の研究動向
4-2．ハイブリッド微粒子による高速研磨
4-3．水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化
4-4．イオンインプラ法を適用したSiCの高速研磨手法の提案
5．CMPの将来展望について