⭐本セミナーでは半導体デバイス、プロセス、実装工程、システム設計の実際について必要な知識を、装置、材料の変遷の歴史を踏まえて、最新の動向まで解説します！
⭐前編では前工程を中心に徹底解説いたします！
こちらは9/25実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。期間中何度でも視聴できます
本セミナーは前編と後編の２部構成となっています。前編または後編のみの受講も可能です。
セミナー内容の詳細はプログラムをご確認ください。
＜前編＞ 9/25（水）10:30～16:30
第１章 今、なぜシリコンか？
１．シリコン半導体の特長
２．シリコンvs．化合物半導体
２‐１．半導体の売り上げ
２‐２．半導体と用途
３．各種半導体物性比較
４．シリコン資源
第２章 珪石から集積回路の出来るまで
１．珪石から金属シリコンの製造
２．金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
３．単結晶作製
４．円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
５．スライシング
６．ベベリングとラッピング、ポリッシング
７．エピタキシャル成長とSOI
８．前工程
９．後工程
第３章 半導体物理
１．シリコン結晶
２．半導体の導電形
３．ドーパントの種類
４．半導体と周期律表
第４章 半導体プロセス（前工程）概要のパターン
１．基本プロセス
２．プロセスのパターン
３．バイポーラプロセスフロー概略
４．CMOSプロセスフロー概略
第５章 前工程
１．フォトリソグラフィー工程
１－１．フォトリソグラフィーとは
１－２．フォトリソグラフィー工程の説明
１－３．レンズ系の解像力と焦点深度
１－４．露光用光源
１－５．各種露光方式
１－６．レジストコーターとデベロッパー
１－７．フォトレジスト
１－８．レチクル（マスク）とペリクル
１－９．超解像
１－１０．近接効果補正
１－１１．フォト工程の不良例
●演習問題
●半導体のプロセスノードのお話
●マルチパターニングのお話
２．洗浄工程とウェットエッチング工程
２－１．ウェットプロセスの概要
２－２．ウェットエッチング
３．酸化・拡散工程
３－１．目的と原理
３－２．ドライ酸化とウェット酸化
３－３．酸化の法則
３－４．その他の酸化
３－５．酸化・拡散装置
３－６．縦型拡散炉の特徴
３－７．選択酸化
３－８．ランピング
３－９．測定装置
３－１０．熱電対の種類
３－１１．酸化膜の色と膜厚の関係
４．イオン注入工程
４－１．イオン注入の目的と原理
４－２．イオン注入工程の概要
４－３．イオン注入装置
４－４．イオン注入装置の各部名称
４－５．イオン注入で起こる問題
５．CVD工程
５－１．CVDの原理
５－２．プラズマのまとめ
５－３．各種CVD
５－４．CVD装置外観
５－５．減圧CVDとステップカバレッジ
５－６．原子層堆積（ALD）
６．スパッタ工程
６－１．スパッタの基礎
６－２．各種スパッタ法
７．ドライエッチング工程
７－１．ドライエッチングの原理と目的
７－２．等方性と異方性
７－３．ドライエッチング工程の概要
７－４．プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
７－５．ドライエッチングガス
７－６．反応性イオンエッチング
７－７．ECRエッチング
７－８．ケミカルドライエッチング
７－９．アスペクト比
７－１０．選択比
７－１１．ローディング効果
７－１２．終点検出
８．エピタキシャル成長
８－１．エピタキシャル成長の基本
８－２．ヘテロエピタキシャル成長
９．CMP工程
９－１．CMP工程概要
９－２．装置概要
９－３．各部名称と機能・目的
９－４．CMP適用工程例
１０．電気検査
１０－１．はじめに
１０－２．ウェハテストとプローブ検査