2024年10月09日（水）
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無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
・半導体デバイス開発、半導体製造装置開発に携わって5年以内程度の技術者の方
・半導体デバイス・半導体製造装置の営業職の方
・半導体製造装置の製造技術、量産技術の技術者の方
特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
・半導体製造における等方性エッチングの位置づけと原理が理解できる。
・等方性エッチングにおける課題、課題解決へのアプローチを理解できる。
・最新デバイスにおける等方性エッチング技術を理解できる。
台湾TSMCの熊本工場、北海道のラピダスの設立など半導体製造メーカの新聞報道などが続いています。半導体デバイスの加工にはエッチング技術が欠かせませんが、昨今のデバイスの3次元化に伴い、従来の異方性加工（垂直方向）のニーズだけでなく、等方性加工（横方向）に注目が集まっています。
本セミナーでは等方性エッチング技術のニーズと基礎メカニズムの説明からスタートし、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを紹介します。等方性エッチング技術にも多くの課題があり、そのブレークスルー技術についてもご紹介いたします。
1.ドライエッチングの基礎
1-1 ドライエッチングとは？
1-2 異方性エッチングと等方性エッチング
2.等方性エッチングのニーズとメカニズム
2-1 等方性エッチングのニーズ
2-2 等方性エッチングのメカニズム
3.等方性エッチングの例
3-1 ウエットエッチング
3-2 ガスエッチング
3-3 原子層エッチング(Atomic Layer Etching: ALE)
3-4 等方性エッチング装置
4.等方性エッチングの課題
5.最新等方性エッチング技術
5-1 ロジックデバイス向け等方性エッチング技術
5-2 メモリデバイス向け等方性エッチング技術
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