レジスト/EUVレジスト・微細加工用材料の基礎とトラブル対策【LIVE配信】

セミナー概要

略称

レジスト・微細加工【WEBセミナー】

セミナーNo.

251015

開催日時

2025年10月16日（木） 10:30～16:30

主催

（株）Ｒ＆Ｄ支援センター

問い合わせ

Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　

講師

Eリソリサーチ　代表　工学博士　遠藤政孝　氏

＜専門＞
　リソグラフィ、レジスト、高分子化学

＜略歴＞
　1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、リソグラフィ、レジストの開発に従事。
　2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。2024年からEリソリサーチを設立。レジスト、リソグラフィ、先端パッケージのコンサルティング、技術調査、講演活動を実施。

価格

非会員： 55,000円（本体価格：50,000円）
会員： 49,500円（本体価格：45,000円）
学生： 55,000円（本体価格：50,000円）

価格関連備考

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から
　・1名で申込の場合、49,500円（税込）へ割引になります。
　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円（2人目無料）です。
会員登録とは？　⇒　よくある質問

※上記金額はライブ配信、アーカイブ配信いずれかの受講料です。ライブ配信、アーカイブ配信両方視聴される場合は、会員価格で1名につき55,000円（税込）、2名同時申込で66,000円（税込）になります。

定員

30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。

備考

・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーです。

・セミナー資料は郵送します。職場以外での受け取りを希望される場合はご住所をお知らせ下さい。
セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】

１．Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードして下さい。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。

２．セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧下さい。セミナー開始直前のトラブルについては対応いたしかねますのでご了承下さい。

３．開催日の数日前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加下さい。

【アーカイブ配信：10/17～10/24】の視聴を希望される方は、こちらからお申し込み下さい。

講座の内容

習得できる知識

・レジスト/EUVレジストの基礎
・リソグラフィの基礎
・レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
・リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向

趣旨

　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
　本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて述べる。レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最新のロードマップを解説し、今後のレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
　

プログラム

1．リソグラフィの基礎
　1-1．露光
　1-2．照明方法
　　（1）輪帯照明
　1-3．マスク
　　（1）位相シフトマスク
　　（2）光近接効果補正（OPC）
　　（3）マスクエラーファクター（MEF）

2．レジストの基礎
　2-1．溶解阻害型レジスト
　　（1）g線レジスト
　　（2）i線レジスト
　2-2．化学増幅型レジスト
　　（1）KrFレジスト
　　（2）ArFレジスト
　2-3．ArF液浸レジスト/トップコート
　2-4．EUVレジスト
　　（1）化学増幅型EUVレジスト
　　（2）EUVネガレジストプロセス
　　（3）EUVメタルレジスト
　　（4）EUVメタルドライレジストプロセス

3．レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
　3-1．レジストパターン形成不良への対応
　　（1）パターン倒れ
　　（2）パターン密着性不良
　　（3）パターン形状不良
　　（4）チップ内のパターン均一性不良
　3-2．化学増幅型レジストのトラブル対策
　　（1）レジスト材料の安定性
　　（2）パターン形成時の基板からの影響
　　（3）パターン形成時の大気からの影響
　3-3．ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
　　（1）リソーエッチ（LE）プロセス
　　（2）セルフアラインド（SA）プロセス
　3-4．EUVレジストの課題と対策
　　（1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　（2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）
　3-5．自己組織化（DSA）リソグラフィの課題と対策
　　（1）グラフォエピタキシー
　　（2）ケミカルエピタキシー
　3-6．ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
　　（1）加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
　　（2）光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ

4．最新のロードマップとレジストの技術展望、市場動向

キーワード

レジスト、EUV、微細、加工、パターン、形成、液浸、リソグラフィ、トラブル、欠陥、対策

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