★リソグラフィ、レジストの基礎からEUVレジストの特性、課題と対策まで解説！
こちらは10/16実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。
1．リソグラフィの基礎
1-1．露光
1-2．照明方法
（1）輪帯照明
1-3．マスク
（1）位相シフトマスク
（2）光近接効果補正（OPC）
（3）マスクエラーファクター（MEF）
2．レジストの基礎
2-1．溶解阻害型レジスト
（1）g線レジスト
（2）i線レジスト
2-2．化学増幅型レジスト
（1）KrFレジスト
（2）ArFレジスト
2-3．ArF液浸レジスト/トップコート
2-4．EUVレジスト
（1）化学増幅型EUVレジスト
（2）EUVネガレジストプロセス
（3）EUVメタルレジスト
（4）EUVメタルドライレジストプロセス
3．レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
3-1．レジストパターン形成不良への対応
（1）パターン倒れ
（2）パターン密着性不良
（3）パターン形状不良
（4）チップ内のパターン均一性不良
3-2．化学増幅型レジストのトラブル対策
（1）レジスト材料の安定性
（2）パターン形成時の基板からの影響
（3）パターン形成時の大気からの影響
3-3．ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
（1）リソーエッチ（LE）プロセス
（2）セルフアラインド（SA）プロセス
3-4．EUVレジストの課題と対策
（1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
（2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3-5．自己組織化（DSA）リソグラフィの課題と対策
（1）グラフォエピタキシー
（2）ケミカルエピタキシー
3-6．ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
（1）加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
（2）光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
4．最新のロードマップとレジストの技術展望、市場動向