★本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響から結晶欠陥の評価手法まで解説！
※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。
１．SiC基板の市場動向と最新トピックス
1-1．SiC基板市場の現状と成長予測
（１）2024年市場実績とその背景
（２）2030年に向けた市場規模・成長見通し（EV、再エネ市場等）
1-2．最新トピックス（2025年）
（１）200 mm（8インチ）SiCウェハ量産元年
（２）最大手Wolfspeedの破産リスク
（３）中国勢の台頭と価格崩落の影響
２．SiCパワーデバイスと結晶欠陥の基礎
2-1．SiCパワーデバイスの特性と実用化
（１）SiCとSiパワーデバイスの性能比較（耐圧・熱伝導・バンドギャップ等）
（２）実用化の代表例（新幹線N700SのブロアレスCIユニット）
2-2．SiC結晶欠陥の重要性
（１）欠陥がパワーデバイスに与える影響（性能・信頼性・歩留まり）
（２）Si基板と異なるSiC基板の欠陥管理の重要性
３．SiCの結晶構造と多形（ポリタイプ）
3-1．SiCの結晶多形の基礎知識
（１）Ramsdell、Zhdanov記号による分類法
（２）主な多形（4H, 6H, 3C）の特徴と応用
3-2．SiC基板表面の構造
（１）Si面・C面の特徴と安定性
（２）オフ角（off-angle）の役割とエピタキシャル成長への影響
４．結晶欠陥の種類とその物理的性質
4-1．欠陥の基本分類
（１）点欠陥（空孔、不純物）
（２）線欠陥（転位：刃状、らせん、混合転位）
（３）面欠陥（積層欠陥、異相界面）
（４）体積欠陥（ボイド、割れ、析出物）
５．SiC結晶欠陥がパワーデバイスに与える影響
5-1．主要欠陥によるデバイス特性劣化
（１）マイクロパイプによる耐圧劣化
（２）貫通転位（TSD/TMD/TED）のリーク電流増加
（３）基底面転位（BPD）の積層欠陥拡張（バイポーラデバイス劣化）
5-2．結晶品質とデバイス歩留まり・信頼性
（１）酸化膜信頼性との関係
（２）MOSFET歩留まりと欠陥密度の相関関係
６．SiC結晶欠陥の観察・評価技術
6-1．顕微鏡を用いた欠陥評価
（１）透過電子顕微鏡（TEM/STEM）による評価
（２）KOHエッチング法の実例と特徴
6-2．光学的評価技術
（１）フォトルミネッセンス（PL）による欠陥評価
（２）偏光顕微鏡（光弾性・複屈折）を用いた評価手法
6-3．X線トポグラフィによる非破壊欠陥評価
（１）放射光X線トポグラフィの原理と応用
（２）実験室X線トポグラフィの活用事例
７．マルチモーダル解析と欠陥自動検出技術
7-1．マルチモーダル解析手法の活用
（１）複数の評価技術の組み合わせによる欠陥特定
（２）同一箇所に対する多角的評価の有効性
7-2．画像処理アルゴリズムを用いた欠陥の自動検出
（１）画像処理による偏光観察像の自動検出
（２）テンプレートマッチングによるPL画像からの欠陥検出
８．結晶成長技術による欠陥制御・低減（溶液成長法）
8-1．溶液法（TSSG法）の基本と高品質化の原理
（１）昇華法との違い（原理・特徴）
（２）溶液成長における転位低減メカニズム（TSD/TEDの基底面欠陥変換）
8-2．溶液成長法による高品質SiC結晶の実現
（１）Si面/C面二段階成長法による転位密度低減
（２）溶液成長法の現状と課題（バルク化への取り組み）
９．積層欠陥の拡張抑制技術（イオン注入によるアプローチ）
9-1．積層欠陥拡張メカニズム
（１）Quantum-wellモデルによる積層欠陥の駆動力説明
9-2．プロトン注入を用いた欠陥拡張抑制
（１）転位ピンニング効果の原理と実証結果
（２）ドーズ量とキャリアライフタイムに関する最適化