１．パワーデバイスの最新動向
1-1 自動車の電動化を支えるパワーデバイス
1-2 鉄道から自動車への展開が進むSiCデバイス
1-3 サーバー用パワーデバイスとして脚光を浴びるGaNデバイス
1-4 NEDOプロジェクト SiC、環境省プロジェクト GaN
２．パワーデバイスの物性
2-1 エネルギー準位とバンドギャップ 【演習】
2-2 真正半導体、p型、n型半導体
2-3 キャリア密度 【演習】
2-4 移動度、比抵抗
３．パワーデバイスの構造と特性
3-1 ダイオードと高耐圧化
3-2 MOSFETの動作特性 【演習】
3-3 縦型MOSFET
3-4 IGBTとパワートランジスタ
3-5 IGBTの動作特性
４．注目される新デバイSiCとGaN（ワイドギャップ半導体）
4-1 ワイドギャップ半導体
4-2 ワイドギャップ半導体の物性
4-2-1 高速スイッチング特性
4-2-2 高温での動作特性
4-2-3 高耐圧で低オン抵抗 【演習】
4-3 Siデバイスとの比較
５．パワーデバイスを回路に組込み
5-1 回路に適したデバイス選定・設計
5-2 デバイスの損失と放熱設計 【演習】
5-3 トリガー回路