2026年02月25日（水）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
問い合わせフォーム
東京工科大学 工学部 名誉教授 工学博士、博士（理学）髙木 茂行 氏
【ご専門】パワーエレクトロニクス、半導体、シミュレーション
（職歴）
1984年4月 （株）東芝入社 生産技術研究所 レーザ研究部
1990年4月 （株）東芝 生産技術センター プロセス研究センター
2007年10月 （株）SED出向 パネル設計センター センター長
2010年４月 （株）東芝 生産技術センター 光技術応用センター 研究主幹
2015年4月 東京工科大学 工学部 電気電子工学科 教授
2025年4月 東京工科大学 非常勤講師
2025年5月 東京工科大学 名誉教授
（現職）
名古屋大学 客員教授（2025年１月～）
横浜市立大学 客員教授（2025年４月～）
（著書）
(1) 重里 有三，髙木 茂行：”半導体プロセス・形状シミュレーション”，オーム社 (2012)
(2) 髙木 茂行, 長浜 竜：“これでなっとく パワーエレクトロニクス”，コロナ社（2017）
(3) 髙木 茂行（編著）：“エンジニアの悩みを解決 パワーエレクロトニクス”，コロナ社（2020）
(4) 髙木 茂行，美井野 優：“これなら解ける 電気数学”, コロナ社 (2022)
(5) 髙木 茂行, 福島 E.文彦，長浜 竜：“まるごとわかる！ エンジニアのための電気自動車技術”，科学情報出版 （2025）
非会員：
55,000円
（本体価格：50,000円）
会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
学生：
55,000円
（本体価格：50,000円）
会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名55,000円（税込）から
・1名49,500円（税込）に割引になります。
・2名申込の場合は計55,000円（2人目無料）になります。両名の会員登録が必要です。
会員登録とは？ ⇒
よくある質問
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
・資料付（製本テキスト）※データの配布はありません。
※ご自宅への送付を希望の方はコメント欄にご記入ください。
ご指定が無い場合はお申込み時の住所へ郵送いたします。
【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、
→こちらからミーティング用Zoomクライアントを
ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）
セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
ついては
→こちらをご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
ください。
・製造分野にたずさわって数年の若手技術者から10年以上の技術者の方。
・製品の研究開発・試作にたずさわって数年の若手技術者から10年以上の技術者の方。
・新たにパワーデバイスを使った回路の設計にたずさわった方。
・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします
・パワーデバイスを回路に組込むために必要なデバイス選定手法・設計法を習得できる。
・パワーデバイスを駆動するためのトリガー回路の設計手法を習得できる。
・パワーデバイスをパワーエレクトロニクス回路に組込むのに役立つデバイス特性の基本式を習得できる。
・半導体物性からパワーデバイスを実際の回路に組込むまでの一連の知識を習得できる。
自動車の電動化、サーバー用電源のキー部品としてパワーデバイスが注目されています。現状のSiデバイスより省エネ性に優れたSiCやGaNといった革新的なデバイスの実用化も急速に進んでいます。こうしたパワーデバイスの活用には、基礎物性からデバイス構造、実回路への組込みまでの総合的理解が必要です。
本セミナーでは、半導体の基礎物性から説明を始め、Siパワーデバイスが持つ高耐圧、省エネ性をデバイス構造と基礎物性から明らかにします。さらに、新型デバイスSiCとGaNの高速スイッチング、高温体耐性、高耐圧低抵抗について、材料特性と基礎物性から定量的に説明します。総合的理解の最後に、実回路で使用するために必要なデバイスの選定と回路設計、デバイス損失と熱計算、駆動用のトリガー回路について解説します。限られた時間を有効活用するため、セミナーでは重要項目には演習問題を加え、理解が深まるよう構成されています。
１．パワーデバイスの最新動向
1-1 自動車の電動化を支えるパワーデバイス
1-2 鉄道から自動車への展開が進むSiCデバイス
1-3 サーバー用パワーデバイスとして脚光を浴びるGaNデバイス
1-4 NEDOプロジェクト SiC、環境省プロジェクト GaN
２．パワーデバイスの物性
2-1 エネルギー準位とバンドギャップ 【演習】
2-2 真正半導体、p型、n型半導体
2-3 キャリア密度 【演習】
2-4 移動度、比抵抗
３．パワーデバイスの構造と特性
3-1 ダイオードと高耐圧化
3-2 MOSFETの動作特性 【演習】
3-3 縦型MOSFET
3-4 IGBTとパワートランジスタ
3-5 IGBTの動作特性
４．注目される新デバイSiCとGaN（ワイドギャップ半導体）
4-1 ワイドギャップ半導体
4-2 ワイドギャップ半導体の物性
4-2-1 高速スイッチング特性
4-2-2 高温での動作特性
4-2-3 高耐圧で低オン抵抗 【演習】
4-3 Siデバイスとの比較
５．パワーデバイスを回路に組込み
5-1 回路に適したデバイス選定・設計
5-2 デバイスの損失と放熱設計 【演習】
5-3 トリガー回路
パワーデバイス,物性,構造,SiC,GaN,ワイドギャップ半導体回路,講演,WEBセミナー
