半導体配線・パッケージング向け銅めっき技術の理解と制御ポイント【アーカイブ配信】

～無電解銅めっきの難しさ・原因と対策、電気銅めっきの適用技術～

第０部　半導体を取り巻く現状と今後の方向性
　　・半導体業界が注目されている理由
　　・ムーアの法則はどうなのか？
　　・半導体業界の最大の問題は何か？
　　・チップレットとは？

第１部　エレクトロニクス分野でめっき技術の重要性が高まる背景
　1-1　小型化・多機能化の進展を支える技術
　1-2　高密度実装技術の必要性
　1-3　エネルギー分野やヘルスケア分野への応用

第２部　エレクトロニクス分野におけるめっき技術の展開と特徴
　2-1　今までのめっき技術
　2-2　スパッタリング法との比較
　2-3　エレクトロニクスにめっきが使用されるようになる２つの要素
　　・銅配線
　　・携帯化、低価格化、開発期間の短縮（大型化、厚膜化、平坦化：ビアフィルなど）
　2-4　現在のエレクトロニクス分野へのめっき法の適用
　2-5　エレクトロニクス分野へめっき法を使用する利点
　2-6　エレクトロニクス分野へめっき法を利用する際の注意点

第３部　無電解銅めっきの反応・物性・制御技術
　3-1　無電解銅めっき浴とその物性
　　(1) 無電解銅めっき浴組成
　　(2) 無電解銅めっきの主反応
　　(3) 無電解銅めっきの副反応（カニッツアロ反応）
　　(4) めっき反応の安定化
　　(5) 無電解銅めっき浴の分析
　　(6) めっき浴のリサイクル
　3-2　無電解銅めっき皮膜
　3-3　無電解銅めっきの均一析出性
　3-4　無電解銅めっきによるポーラス状皮膜の形成
　3-5　プリント基板への高延性無電解銅めっきの応用
　　(1) 界面活性剤の延性におよぼす影響
　　(2) 析出銅皮膜のアニーリング効果
　　(3) 水素量の測定
　　(4) 熱衝撃に対する各種添加剤の効果
　　(5) 硫酸イオンの析出銅皮膜の物性に及ぼす影響
　3-6　隔膜電解法による硫酸イオンの除去
　3-7　水酸化銅による銅イオンの補給
　3-8　アノード溶解による銅イオンの補給
　3-9　電解併用無電解めっき

第４部　電気銅めっきの適用技術と半導体実装への応用
　4-1　プリント基板の微細化（配線形成技術、基板の平坦化）
　4-2　プリント基板の積層化（ビア技術）
　4-3　積層チップの貫通電極
　4-4　異方性導電粒子の作製法
　4-5　半導体ウエハにめっきするバンプ形成技術
　4-6　半導体ウエハにめっきするＷーＣＳＰの配線とポスト形成技術
　4-7　フレキシブル配線板とＩＴＯの接合

 第５部　海外における新産業創出の動向と日本への示唆
　5-1　３０年かけて世界一になったシンガポール
　5-2　シリコンバレーでの新規産業の創生方法
　5-3　欧州（特にドイツ）での新規産業創生方法
　5-4　日本の現状と今後必要になること
 
第６部　まとめ

　【質疑応答】