★本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響から結晶欠陥の評価手法まで解説！
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１．SiCパワーデバイスと結晶品質の重要性
1-1 SiC材料の特徴とパワーデバイス応用
（１）Siと比較したSiCの材料物性（バンドギャップ、絶縁破壊電界、熱伝導率など）
（２）SiCパワーデバイスの実用化と高信頼化における結晶品質の役割
1-2 SiCウェハの大口径化と品質評価の課題
（１）6インチ・8インチウェハ評価で重要となる欠陥管理
（２）欠陥密度だけでなく、欠陥の種類・構造・分布を見る必要性
２．SiCの結晶構造と多形（ポリタイプ）
2-1 SiC結晶構造の基礎
（１）Si面、C面、c軸、基底面、オフ角の考え方
（２）エピタキシャル成長におけるステップフロー成長とオフ角の役割
2-2 多形（ポリタイプ）と結晶欠陥
（１）4H、6H、3Cなどの構造的特徴
（２）積層順序の乱れと積層欠陥の関係
３．SiC結晶欠陥の種類と物理的性質
3-1 点欠陥・線欠陥・面欠陥・体積欠陥の分類
（１）点欠陥、不純物、空孔など
（２）転位、積層欠陥、インクルージョン、ボイド等
3-2 代表的なSiC結晶欠陥
（１）マイクロパイプ
（２）貫通らせん転位（TSD）、貫通刃状転位（TED）、貫通混合転位（TMD）
（３）基底面転位（BPD）
（４）積層欠陥（Stacking fault）
４．結晶欠陥がデバイス特性に与える影響
4-1 耐圧・リーク電流・歩留まりへの影響
（１）マイクロパイプおよび貫通転位と耐圧不良
（２）TSD/TED/TMDとリーク電流・局所不良の関係
4-2 バイポーラ劣化と積層欠陥
（１）BPDを起点とする積層欠陥拡張
（２）デバイス動作中の欠陥拡張と信頼性低下
５．結晶成長・エピタキシャル成長と欠陥伝播
5-1 基板欠陥のエピ層への伝播と変換
（１）BPDからTEDへの変換
（２）貫通転位・混合転位のエピ層中での見え方
5-2 結晶成長条件と欠陥低減
（１）昇華法・溶液成長法における欠陥形成の考え方
（２）欠陥低減技術と大口径化における課題
６．SiC結晶欠陥の観察・評価技術
6-1 エッチング・光学顕微鏡・電子顕微鏡による評価
（１）KOHエッチングによるエッチピット評価
（２）光学顕微鏡、SEM、TEM/STEMによる局所構造評価
6-2 光学的評価技術
（１）フォトルミネッセンス（PL）による発光欠陥・積層欠陥評価
（２）偏光観察・複屈折観察による転位・応力場評価
6-3 X線トポグラフィによる非破壊評価
（１）放射光X線トポグラフィの原理と観察例
（２）実験室X線トポグラフィの特徴と量産評価への展開
７．マルチモーダル解析とウエハ全面評価
7-1 複数手法を組み合わせた欠陥同定
（１）X線トポグラフィ、PL、偏光観察の相補性
（２）同一箇所観察による欠陥構造推定
7-2 ウエハ全面欠陥マップの活用
（１）6インチ・8インチウェハの全面評価
（２）欠陥マップとデバイス特性・歩留まりの対応付け
８．欠陥制御に向けた最近の研究例
8-1 積層欠陥拡張の抑制
（１）積層欠陥拡張メカニズム
（２）イオン注入等を用いた欠陥拡張抑制の考え方
8-2 結晶成長による欠陥制御技術の現状
【質疑応答】