1. 半導体パッケージの役割の変化
1.1. 後工程の前工程化
1.2. 中間領域プロセスによる価値創出事例
1.3. チップレットSiP
2. 三次元集積化デバイス形成プロセス技術と最新動向
2.1. 広帯域メモリチップとロジックチップの積層化
a) Logic-on-DRAM SoCデバイス
b) InFO POP
c) 2.5Dインテグレーション
2.2. 中間領域の基幹プロセスの基礎と留意点
a) 再配線形成プロセス
b) マイクロバンプ形成プロセス
c) TSV形成プロセス(via middle, back side via)
2.3. 再配線の微細化の課題
a) 再配線と絶縁樹脂膜の界面
b) 絶縁樹脂膜の平坦化
c) LSIダマシン配線と再配線の構造比較
3. Fan-Out型パッケージプロセス技術と最新動向
3.1. FOWLPプロセスの基礎と留意点
a) Chip FirstとRDL First
b) 再構成モールド樹脂基板の反りとチップシフト
c) プロセスインテグレーション課題
d) FOWLPのコスト構造参考事例
3.2. 三次元FOWLPのThrough Mold Interconnect(TMI)
a) CuピラーTMI
b) 垂直ワイヤーボンドTMI
c) 感光性モールドによるTMIと再配線の一括形成
4. Fan-Out Panel Level Package(FOPLP)の課題
4.1 量産化へ向けて克服すべき課題
4.2 装置開発事例
5. 半導体パッケージの開発動向及び市場動向
5.1 三次元集積化開発の動向
a) Hybrid Panel FOによるメモリ多段積層
b) ウエーハ積層による異種デバイス集積化
c) CoWによる異種デバイス集積化
5.2 最近の市場概観5.3今後の商流と事業主体の変化
6. まとめ Q&A