ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発し、
最前線で研究をしている講師がその魅力・最新動向、今後の展望について解説します!

ダイヤモンドエレクトロニクスのポテンシャルと課題、展望【WEBセミナー】

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セミナー概要
略称
ダイヤモンドエレクトロニクス【WEBセミナー】
セミナーNo.
st210918
開催日時
2021年09月27日(月) 13:00~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
価格
非会員:  35,200円 (本体価格:32,000円)
会員:  33,440円 (本体価格:30,400円)
学生:  35,200円 (本体価格:32,000円)
価格関連備考
定 価 :1名につき 35,200円(税込)
会員価格:1名につき 33,440円 2名の場合 44,000円、3名の場合 66,000円(税込)

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※他の割引は併用できません。
※セミナー請求書は代表者のメールアドレスにPDFデータを添付しお送りいたします。
備考
資料付き
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

【ライブ配信(Zoom使用)セミナー】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・お申し込み後、接続確認用URL(https://zoom.us/test)にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
・セミナー中、講師へのご質問が可能です。
講座の内容
受講対象・レベル
・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方
・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方
習得できる知識
・ダイヤモンドの物性
・ダイヤモンド半導体研究の歴史
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題
趣旨
 ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔(NV)中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。 
 本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果(例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等)を中心に解説します。
プログラム

1.はじめに
 1.1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
 1.2 ダイヤモンド半導体研究の歴史 

2.ダイヤモンドウェハ製造技術
 2.1 成長技術(高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD)
 2.2 不純物ドーピング技術
 2.3 スライス・カット技術
 2.4 研磨技術

3.ダイヤモンドダイオード
 3.1 ショットキーバリアダイオード
 3.2 PN接合ダイオード
 3.3 ショットキーPNダイオード(SPND)

4.ダイヤモンドトランジスタ
 4.1 MESFET
 4.2 JFET
 4.3 BJT
 4.4 MOSFET

5.その他のデバイス応用
 5.1 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
 5.2 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
 5.3 ダイヤモンド中窒素-空孔(NV)中心を用いた量子デバイス/センサ

6.まとめと今後の展開

  □ 質疑応答 □

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