1. GaNについて
・GaNの特徴と利用
・パワーエレクトロニクス向きの半導体
・GaNで目指す社会
・GaNパワーデバイスができるまで
2. GaN関係の動向 -GaNのプレーヤーと学会動向
・パワー半導体基板の動向
・パワー半導体の動向
・GaNのプレーヤー
・QST基板
・学会の動向 発表内容別、国別
3. GaNウェハ
3-1 ホモエピ用基板とヘテロエピ用基板
・GaNデバイスに用いられる基板
・ヘテロエピのGaNデバイス層
・QST基板
・ホモエピのGaNデバイス層
3-2 様々なGaNの結晶成長方法とその特徴
・HVPE法について
・Na-flux法について
・Ammonothermal法について
・OVPE法について
3-3 GaN基板のラインナップの現状
3-4 GaN基板の加工
・GaN基板のスライス
・GaN基板のレーザスライス
・GaN基板の研磨
3-5 基板・結晶評価技術・結晶欠陥
・転位とはGaNの場合
・転位の影響Siの場合
・転位の影響SiCの場合
・転位の影響GaNの場合
・転位の検出方法
・多光子PL顕微鏡
・複屈折顕微鏡
4. GaNパワーデバイス作製プロセス
4-1 GaN結晶と半導体プロセス
・デバイスプロセスに必要なこと
4-2 デバイス層結晶成長方法
4-3 イオン注入について
・高温高圧アニールついて
・拡散について
4-4 ゲート絶縁膜について
4-5 ドライエッチングとウェットエッチング
・GaNのエッチングについて
・PECエッチングについて
5. GaNパワーデバイス
5-1 デバイス設計と設計パラメータ
5-2 GaNを用いた基本的なパワーデバイスの現状
・ノーマリオフ化手法
・HEMTの使用例
・HEMTのプロセス例
・HEMTについて
・pn接合に与える転位の影響
・製品化していた唯一の縦型トランジスタ
5-3 GaNならではの特徴を用いたパワーデバイスについて
・PSJトランジスタ
6. 今後の展望