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次世代パワーモジュールの開発動向と高温実装の材料・接合技術

セミナー概要

略称
パワーモジュール高温実装
セミナーNo.
190551  
開催日時
2019年05月29日(水)10:30~16:00
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
江東区文化センター 4F 第2会議室
講師
 
【第1部】国立大学法人筑波大学 数理物質系 教授・博士(工学)岩室 憲幸 氏
<略歴など> 
 富士電機株式会社に入社、1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
 IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
 1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
 1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
 2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。
 SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
  2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
<学協会など>
 IEEE Senior Member
 IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
 電気学会上級会員、応用物理学会会員

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【第2部】横浜国立大学 工学研究院 産学官連携研究員(元教授)・工学博士 高橋 昭雄 氏
    (横浜市立大学・客員教授)
<略歴など> 
 2006年 日立製作所 退職
 2006年 横浜国立大学 工学研究院 教授
 2013年 横浜国立大学 客員教授
 2017年 横浜国立大学 工学研究院 産学官連携研究員
      横浜市立大学 客員教授
<学協会など>
 エポキシ樹脂技術協会 副会長
 SiC等大電流パワーモジュールプロジェクト(KAMOME-PJ) PJリーダー,サブリーダー
 エレクトロニクス実装学会、高分子学会 他
 
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【第3部】大同大学 工学部 電気電子工学科 教授・博士(工学) 山田 靖 氏
<略歴など> 
 1986年4月、(株)豊田中央研究所に入社。
 2011年3月に同社を退社し、同年4月に大同大学工学部電気電子工学科の教授として着任。
 2000年頃からハイブリッド車用パワー半導体モジュールの研究に従事し、
 2004年頃にパワー半導体の高温動作用接合技術の研究を開始し現在に至る。
 これまでに、高融点はんだ接合、CuSn合金接合、Cuナノ粒子接合などに関して取り組んできた。
 パワーモジュール用実装材料開発支援プロジェクト(KAMOME-PJ)や、
 電力半導体デバイス接合部の国際標準化研究委員会にも参加している。
 2004年3月、博士(工学)を取得。
<学協会など>
 エレクトロニクス実装学会(カーエレクトロニクス研究会)、電気学会
  
価格
非会員: 49,980円(税込)
会員: 47,250円(税込)
学生: 10,800円(税込)
価格関連備考
■ 会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
 ・1名で申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円(2人目無料)です。
■ 会員登録とは? ⇒ よくある質問
■ 学生価格は、教職員や研究員、企業に在籍されている学生には適用されません。
また、当日学生証をご持参ください。
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
昼食・資料付き

講座の内容

習得できる知識
【第1部】
 1.パワーデバイスの最新技術動向(Si-IGBT, SiCデバイスを中心に)
 2.新構造IGBT(RC-IGBT)の特長
 3.SiC-MOSFET最新技術
 4.SiC-MOSFET実装技術
 5.Si-IGBTならびにSiC-MOSFETの今後の見通し
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【第2部】
 1.封止樹脂への要求特性と材料設計
 2.樹脂材料の高耐熱化とその評価法
 3.簡易パッケージ,モジュールとしての評価
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【第3部】
 1.パワー半導体の高温動作の必要性
 2.接合技術に求められる要件
 3.接合技術の概況とトピックス
 4.接合材料の評価方法
プログラム

【第1部】パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性

<講座の趣旨>
 2017年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが以前主役として活躍している。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。
<プログラム>
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1.パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2.パワー半導体の種類と基本構造
 1-3.パワーデバイスの適用分野
 1-4.シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-5.高温動作のメリットは?
2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1.IGBT開発のポイント
 2-2.IGBT特性改善を支える技術
 2-3.薄ウェハ化の限界
 2-4.IGBT特性向上への挑戦
 2-5.最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1.半導体デバイス材料の変遷
 3-2.ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3.SiCのSiに対する利点
 3-4.各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5.SiC-MOSFET最新技術
 3-6.SiCデバイス信頼性のポイント
 3-7.SiC-MOSFETの今後について
4.高温対応実装技術
 4-1.高温動作ができると何がいいのか
 4-2.SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 4-3.ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
5.まとめ
  質疑応答・名刺交換
 

【第2部】次世代パワーデバイス実装用高耐熱樹脂材料の開発・評価

<講座の趣旨>
熱硬化性樹脂の基本と耐熱性付与及び評価について具体例をもとに説明する。
耐熱性封止材、熱伝導性接着シート材としての材料設計と検討事例。
パワーモジュールとしての評価と材料への課題。
<プログラム>
1.SiCパワーデバイスモジュールと実装材料
2.パワーデバイス実装用樹脂材料に要求される性能
3.樹脂材料高耐熱化の設計と評価
4.エポキシ樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂
5.高耐熱封止材料、高熱伝導率シート材料
6.評価用モジュールの設計と耐熱信頼性評価
  質疑応答・名刺交換
 

【第3部】次世代パワー半導体用高温接合技術


<講座の趣旨>
パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。
<プログラム>
1.EV/HV技術
2.次世代パワー半導体
3.パワー半導体実装用接合技術
 3-1.接合技術に求められる要件
 3-2.接合技術の概況
 3-3.接合技術のトピックス
   3-3-1.Cuナノ粒子接合
   3-3-2.高融点はんだ接合
   3-3-3.合金接合
4.接合技術の特性評価
 4-1.試料構造
 4-2.初期特性
 4-3.信頼性
  質疑応答・名刺交換

スケジュール
10:30~12:00【第1部】
12:00~12:45 昼食
12:45~14:15【第2部】
14:15~14:30 休憩
14:30~16:00【第3部】 

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