シリコンならびにSiC/ GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

～車の電動化（EV,HEV）対応に向けた性能、信頼性の向上～

１．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 高周波動作のメリットは？
　1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か？

２．最新シリコンIGBTの進展と課題
　2-1 IGBT開発のポイント
　2-2 IGBT特性向上への挑戦
　2-3 薄ウェハ　フィールドストップ（FS）型IGBTの誕生
　2-4 IGBT特性改善を支える技術
　2-5 薄ウェハ化の限界
　2-6 最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-3 SiCのSiに対する利点
　3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか？
　3-5 SiCウェハができるまで
　3-6 SiC-ダイオードそしてSiC-MOSFET開発へ
　3-7 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
　3-8 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか？
　3-9 SiCのデバイスプロセス
　3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
　3-11 最新SiCトレンチMOSFET 
　 
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
　4-4 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-5 GaN-HEMTの課題
　4-6 Current Collapse現象メカニズム
　4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-8 縦型GaNデバイスの最新動向

５．高温対応実装技術
　5-1 高温動作ができると何がいいのか
　5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

６．まとめ

【質疑応答・名刺交換】