レジスト・リソグラフィ技術の基礎から微細化・高解像度化などの高品位化の変遷および創出過程、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用が学べる!

リソグラフィ技術・レジスト材料の基礎と微細化・高解像度に向けた応用技術、
今後の展望および半導体産業の位置付けと未来【LIVE配信】

※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。

※日程が変更になりました。(5/24更新)
5月25日 → 9月26日(月)

セミナー概要
略称
レジスト・リソグラフィ【WEBセミナー】
セミナーNo.
220578
開催日時
2022年09月26日(月) 10:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
講師
鴨志田技術事務所/フォトポリマー懇話会顧問 鴨志田 洋一 氏

【ご専門】
機能性高分子、高分子合成、リソグラフィ材料、知的財産権

【ご略歴】
1971年 東京大学工学部工業化学科 卒業
1973年 東京大学大学院工学系研究科合成化学専門課程 修了
1973年~2011年 JSR㈱、フォトレジストの研究開発、マーケティング、知的財産部長、テクノポリマー常勤監査役、インターリサーチ社長、
2010年~2022年 神奈川大学講師兼務、電気学会先端リソグラフィ調査専門委員(1994年~2017年)、フォトポリマー懇話会会長(2012年~2020年)、
2022年現在 フォトポリマー懇話会顧問、高分子学会フェロー、日本化学会正員
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
 ・1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、
  55,000円(1名当たり 27,500円)(税込)です。

10名以上で同時申込されるとさらにお得にご受講いただけます。
お申込みご希望の方は 【こちら】からお問い合わせください。

会員登録とは? ⇒ よくある質問
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントを
  ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
  ついてはこちらをご覧ください。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
  10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
  ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
研究開発、製造技術業務にたずさわって2~3年の若手技術者の方から中堅技術者、リーダー。
習得できる知識
 レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程を知ることができる。
 技術・レジスト材料開発の実例を学ぶことにより、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用が可能となる。さらに、社会における半導体の位置づけ、日本の半導体産業の現状と課題を理解し、今後の展望を考えることができる。
趣旨
 今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス(ME)の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路(IC)が開発されて以来、大規模集積回路(LSI)のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。

 レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。

1) コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
2) 投影露光方式の導入
3) 化学増幅型レジスト/エキシマレーザ光源の採用
4) EUV光源の採用など

 それぞれのステップで多くのイノベーションが実現され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、今後の効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用への指針とする。
さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指針としたい。
プログラム

1. 技術パラダイムシフトと半導体集積回路
   1-1. 科学技術の発展
   1-2. 技術パラダイムシフト
   1.3. マイクロエレクトロニクス(ME)と社会
   1.4. MEの黎明期とフォトレジスト

2. フォトレジストの本流
   2-1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
      (1) リソグラフィプロセスの確立
      (2) 基本的構造及び製造法の進化
   2-2. ノボラック系ポジ型レジスト
      (1) 基本的組成
      (2) マトリックス樹脂、感光性化合物のデザイン
      (3) レジストの透明性と解像度
      (4) i-線レジスト
      (5) リソグラフィプロセスでの化学と工程管理
      (6) レジストの溶剤と環境への影響
      (7) 高性能化への工夫と新たなイノベーション

3. フォトレジストの裏街道
   3-1. X線レジスト
   3-2. Top Surface Imaging:表層をイメージングレイヤーとするDESIREプロセス
   3-3. Deep UVリソグラフィ
      (1) 黎明期のレジスト
      (2) 化学増幅型レジスト
      (3) 光酸発生剤

4. エキシマレーザリソグラフィ  
   4-1. KrFレジスト
      (1) エキシマレーザリソグラフィ実現への課題
      (2) 光源・光学系の課題
      (3) 化学増幅型レジストの課題
      (4) 材料からの改良
      (5) プロセス面からの改良
      (6) 実用化されたレジスト材料
   4-2. ArFレジスト
      (1) ArFレジスト実現への課題
      (2) 課題克服へのイノベーション
   4-3. 液浸リソグラフィ
      (1) 液浸リソグラフィプロセス
      (2) レジスト材料への展開

5. EUVリソグラフィ
   5-1. 光源・露光機の開発
   5-2. レジスト開発
   5-3. EUVLの課題

6. 今後の展望
   6-1. 現像プロセスの課題 

7. 科学技術と社会(半導体と人間)
   7-1. 実装材料(ポリイミド)
   7-2. フラットパネルディスプレイ材料
   7-3. ブレインマシンインターフェイス(BMI)
   7-4. 科学技術と社会(地球規模の課題と科学技術/半導体)

8. 国の安全保障の根幹を担う半導体産業 

9. 効率的にイノベーションを創出するために
   知的財産戦略とMOT

10.まとめ


【質疑応答】

キーワード
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