高周波デバイスの低コスト化に向けて
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１．ミストCVD法
1-1.ミストCVD法の原理
1-2.ミストCVD法の歴史
1-3.ミストCVD法の成膜例（Ga2O3以外）
２．酸化ガリウムの基礎物性
2-1.酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント
2-2.酸化ガリウムの結晶多形
2-3.酸化ガリウムの研究機関
３．酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
3-1.結晶成長・薄膜形成方法
3-2.酸化ガリウムで用いられる結晶成長・薄膜形成方法
４．α相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
4-1.α-Ga2O3の結晶成長
4-2.成長法
4-3.課題と高品質化
4-4.混晶化技術
4-5.デバイス動作（結晶成長から見た）
4-6.n型制御
4-7.p型制御
５．β相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
5-1.β-Ga2O3の結晶成長
5-2.成長法
5-3.n型制御
5-4.混晶化技術
5-5.デバイス動作（結晶成長から見た）
６．κ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
6-1.κ-Ga2O3の結晶成長
6-2.成長法
6-3.強誘電体特性とHEMT
6-4.混晶化技術
6-5.高品質化
７．γ相酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
7-1.γ-Ga2O3の結晶成長
7-2.混晶化技術
7-3.成長法
８．結晶多形の制御方法
９．まとめと展望