１． 序論
1-1. CVD法とALD法の概要と特徴
1-2. 薄膜形成理由
1-3. 成膜装置・成膜条件・要因
２． 化学反応の基礎
2-1. 反応速度、反応次数と速度定数
2-2. 反応速度式の作り方
2-3. 律速過程
３． 表面反応・気相反応
3-1. 主反応過程と膜質
４． その場観察方法
4-1. その場観察で得られる情報
4-2. ガス採取場所の注意
4-3. 四重極質量分析（QMS）法
4-4. 圧電性結晶振動子によるその場測定
4-5. 赤外吸収（FT-IR）法
５． 膜分析方法
5-1. 膜厚（成膜速度）測定
5-2. X線光電子分光（XPS）法
5-3. 二次イオン質量分析（SIMS）法
5-4. エネルギー分散型X線分光（SEM-EDX）法
5-5. 分析結果の解釈に困ったとき
６． 反応の場（装置：流れ、熱と反応）を考慮した解析
6-1. 流れを把握する必要性
6-2. CVD装置内のガス流れ観察と数値計算
6-3. 流れを知る方法
6-4. ガス密度（種・濃度）でも流れは変わる
6-5. ガス濃度、流れと温度分布（計算）
6-6. 圧電性結晶振動子によるその場測定：成膜最低温度
6-7. 流れで膜質は変わる
6-8. 水平流れと基板回転：流れ・濃度・成長速度・膜厚・回転による平均化
6-9. 縦流れと基板回転：流れ・温度・濃度・基板直径・成膜速度
6-10. 基板回転の効果と活用
6-11. CVD反応器の形状と操作が成膜速度分布・膜質に及ぼす影響
6-12. 原子層堆積（ALD）装置内の流れと熱（低圧時と反応圧力時）
７． 膜とガスの分析に基づく反応解析とモデル化例
7-1. 質量分析による反応解析と速度モデル構築
7-2. 数値解析による反応速度とドーピング反応速度モデル構築
7-3. 反応設計と解析、成膜速度上限を超える工夫(並列ラングミュア過程)
7-4. 三塩化ホウ素＋クロロシラン
7-5. ホウ素、炭素とケイ素の相互作用
7-6. 多元系プラズマCVD機構の解析
８． 副生成物から推定される反応例
8-1. 排ガス管内堆積物：Si微粉
8-2. 副生成物から推定される反応
8-3. 排ガス管内堆積物：クロロシランによるSiとSiC成膜
8-4. 排ガス管内堆積物：クロロシランによる副生成物の分解除去
8-5. リアクター内の汚れなどからわかる情報
8-6. 不要堆積物に起因する障害
8-7. 副生成物から分かること
９． 最適化の考え方
9-1. 諸要因の効果と活用
9-2. 最適化
10． まとめ
【質疑応答】