次世代パワーモジュールの開発動向と高温接合技術【LIVE配信】
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。

セミナー概要
略称
パワーモジュール高温接合【WEBセミナー】
セミナーNo.
開催日時
2021年05月19日(水) 10:00~15:00
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
講師
【第1講】国立大学法人筑波大学 数理物質系 教授・博士(工学)岩室 憲幸 氏
<略歴など> 
 富士電機株式会社に入社、1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、
  IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
  1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
  1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
 2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所。
  SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
 2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
<学協会など>
 IEEE Senior Member
 IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
 電気学会上級会員、応用物理学会会員

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【第2講】大同大学 工学部 電気電子工学科 教授・博士(工学) 山田 靖 氏
<略歴など> 
 1986年4月、(株)豊田中央研究所に入社。
 2011年3月に同社を退社し、同年4月に大同大学工学部電気電子工学科の教授として着任。
 2000年頃からハイブリッド車用パワー半導体モジュールの研究に従事し、
 2004年頃にパワー半導体の高温動作用接合技術の研究を開始し現在に至る。
  これまでに、高融点はんだ接合、CuSn合金接合、Cuナノ粒子接合などに関して
  取り組んできた。
  パワーモジュール用実装材料開発支援プロジェクト(KAMOME-PJ)や、
  電力半導体デバイス接合部の国際標準化研究委員会にも参加している。
 2004年3月、博士(工学)を取得。
<学協会など>
 エレクトロニクス実装学会 理事、電気学会
 
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
 ★1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
 ★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。
■ 会員登録とは? ⇒ よくある質問
備考
・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
習得できる知識
<第1講>
 1.パワーデバイスの最新技術動向(Si-IGBT, SiCデバイスを中心に)
 2.新構造IGBT(RC-IGBT)の特長、Si-IGBT実装技術
 3.SiC-MOSFETの最新デバイス・実装技術
 4.Si-IGBTならびにSiC-MOSFETの今後の見通し

<第2講>
 1.パワー半導体の高温動作の必要性
 2.接合技術に求められる要件
 3.接合技術の概況とトピックス
 4.接合材料の評価方法
 
プログラム

第1講 パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性
(10:00~12:00)
<趣旨>
 近年、世界各国で自動車の電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはPHEVやEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。自動車の電動化性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然主役として活躍している。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。

<プログラム>
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1.パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2.パワー半導体の種類と基本構造
 1-3.パワーデバイスの適用分野
 1-4.シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
 1-5.高温動作のメリットは?

2.最新シリコンIGBTの進展と課題
 2-1.IGBT開発のポイント
 2-2.IGBT特性改善を支える技術
 2-3.IGBT特性向上への挑戦
 2-4. 最新のIGBT技術
  ・逆導通IGBT(RC-IGBT)
  ・高温化パッケージ技術
  ・大口径ウェハ(300mmΦ)適用

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1.半導体デバイス材料の変遷
 3-2.ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3.SiCのSiに対する利点
 3-4.SiC-MOSFET特性改善、信頼性向上のポイント
 3-5.SiC-MOSFET最新技術

4.高温対応実装技術
 4-1.高温動作ができると何がいいのか
 4-2.SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 4-3.ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

5.まとめ

 



第2講 次世代パワー半導体高温動作用接合技術
(13:00~15:00)
<趣旨>
 パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。

<プログラム>
1.EV/HV技術

2.次世代パワー半導体

3.パワー半導体高温動作用接合技術
 3-1.接合技術に求められる要件
 3-2.接合技術の概況
 3-3.接合技術のトピックス
   3-3-1.Cuナノ粒子接合
   3-3-2.高融点はんだ接合
   3-3-3.合金接合

4.接合技術の特性評価
 4-1.試料構造
 4-2.初期特性
 4-3.信頼性
 

スケジュール
10:00~12:00 【第1講】

12:00~13:00 昼食の休憩時間

13:00~15:00 【第2講】
キーワード
パワー,デバイス,半導体,モジュール,高温,接合,実装,SiC,IGBT,Cuナノ粒子
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