第1講 パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性
（10：00～12：00）
＜趣旨＞
近年、世界各国で自動車の電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはPHEVやEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。自動車の電動化性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然主役として活躍している。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクスとは？
1-1.パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2.パワー半導体の種類と基本構造
1-3.パワーデバイスの適用分野
1-4.シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
1-5.高温動作のメリットは？
２．最新シリコンIGBTの進展と課題
2-1.IGBT開発のポイント
2-2.IGBT特性改善を支える技術
2-3.IGBT特性向上への挑戦
2-4. 最新のIGBT技術
・逆導通IGBT（RC-IGBT）
・高温化パッケージ技術
・大口径ウェハ（300mmΦ）適用
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1.半導体デバイス材料の変遷
3-2.ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3.SiCのSiに対する利点
3-4.SiC-MOSFET特性改善、信頼性向上のポイント
3-5.SiC-MOSFET最新技術
４．高温対応実装技術
4-1.高温動作ができると何がいいのか
4-2.SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
4-3.ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
５．まとめ
第2講 次世代パワー半導体高温動作用接合技術
（13：00～15：00）
＜趣旨＞
パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。
＜プログラム＞
１．EV/HV技術
２．次世代パワー半導体
３．パワー半導体高温動作用接合技術
3-1.接合技術に求められる要件
3-2.接合技術の概況
3-3.接合技術のトピックス
3-3-1.Cuナノ粒子接合
3-3-2.高融点はんだ接合
3-3-3.合金接合
４．接合技術の特性評価
4-1.試料構造
4-2.初期特性
4-3.信頼性