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1. 先端半導体パッケージの研究開発動向:
世界最大の半導体パッケージング技術の国際会議ECTCの発表内容を中心に
2. 3D-IC
2.1 3D-ICの概要と歴史
2.2 3D-ICの分類
2.2.1 モノリシックvs.マルチリシック
2.2.2 積層対象による分類(Wafer-on-Wafer vs. Chip-on-Wafer)
2.2.3 積層形態による分類(Face-to-Face vs. Back-to-Face)
2.2.4 TSV形成工程による分類(Via-Middle vs. Via-Last)
2.2.5 接合方式による分類(マイクロバンプ接合 vs. ハイブリッド接合)
2.3 TSV形成技術と信頼性評価技術
2.3.1 高異方性ドライエッチング
2.3.2 TSVライナー絶縁膜堆積
2.3.3 バリア/シード層形成
2.3.4 ボトムアップ電解めっき
2.3.5 その他のTSV形成技術とTSVの微細化について
2.3.6 TGV (Through-Glass Via)
2.4 チップ/ウエハ薄化技術と信頼性評価技術
2.5 テンポラリー接着技術と信頼性評価技術
2.6 アセンブリ・接合技術と信頼性評価技術
2.6.1 微小はんだバンプ接合技術とアンダーフィル
2.6.2 SiO2-SiO2直接接合
2.6.3 Cu-Cuハイブリッドボンディング
2.6.4 無機異方導電性フィルム(iACF)を用いた接合技術
2.6.5 液体の表面張力を用いた自己組織化チップ実装技術(セルフアセンブリ)
2.7 3D-ICに要求される高分子材料
2.8 3D-ICのアプリケーション
2.8.1 三次元イメージセンサ
2.8.2 三次元DRAM(HBM: High-Bandwidth Memory)
2.8.3 2.5Dシリコンインターポーザ
2.8.4 2.3D有機インターポーザ
2.8.5 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)
2.8.6 SiブリッジEMIB(Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)
2.8.7 三次元マイクロプロセッサ
3. チップレット
3.1 チップレットとは?
3.2 チップレットを用いた半導体パッケージング技術の現状
3.3 ECTC2022に見るチップレット技術とECTC2023の見どころ
4. FOWLP
4.1 FOWLPの概要と歴史
4.2 FOWLPの分類(Die-first, RDL-first, InFO)と特徴
4.3 FOWLPの課題: Die shift/Chip protrusion/Wafer warpageなど
4.4 FOWLP の研究開発動向
4.5 フレキシブルFOWLP
5. おわりに
【質疑応答】