半導体産業におけるクリーン化技術の基礎とノウハウ【LIVE配信】

１．洗浄技術と半導体デバイス
　　1.1 固体表面の性質（半導体、金属、絶縁体）
　　1.2 基本洗浄方式（ウェット、ドライ、物理除去）
　　1.3 汚染によるデバイス不良（Vth閾値、CVシフト、絶縁耐圧）
　　1.4 歩留まりと欠陥（致命欠陥、Open/Short試験）
２．洗浄装置・薬液および分析技術
　　2.1 洗浄装置（ディップ、スピン、スプレー、フィルタリング）
　　2.2 シミュレーション（ノズル噴射、スピン洗浄、気泡発生）
　　2.3 高速カメラ解析（シャワー飛沫、ブラスト、スピン洗浄）
　　2.4 薬剤（市販薬剤とトレンド）
　　2.5 洗浄の分析技術（SEM、XPS、オージェ電子分光、FTIR-ATR法、偏光顕微鏡、濡れ性評価、表面結露法）
３．洗浄の基礎メカニズム（付着・剥離）
　　3.1 ドライ環境
　　　3.1.1 相互作用因子（粒子間の引力、Hamaker定数、Derjaguin近似）
　　　3.1.2 ファイン粒子の性質（Hertz理論、JKR理論、DMT理論、毛管凝縮）
　　　3.1.3 材料の帯電性と除電性（材質差による影響）
　　　3.1.4 微小固体の凝集ルール（粒径と付着性の関係）
　　　3.1.5 DPAT技術（AFMによる粒子剥離力の直接測定）
　　　3.1.6 表面エネルギー解析（分散・極性成分、付着エネルギーWa）
　　3.2 ウェット環境
　　　3.2.1 液体ラプラス力（液膜による凝集、表面張力、毛管凝縮）
　　　3.2.2 濡れ性の基礎（Laplace、Young、Wenzel、Cassie、Dupre、Newman 各式）
　　　3.2.3 界面への浸透機構（拡張濡れエネルギー、Sモデル、気泡除去）
　　　3.2.4 ゼータ電位と分散・凝集制御（溶液中の帯電）
　　　3.2.5 溶液中の粒子付着と除去（液中帯電およびDLVO理論）
　　　3.2.6 界面活性剤（界面浸透性の向上）
　　　3.2.7 表面処理（親水化処理と疎水化処理）
　　　3.2.8 溶解度パラメータ（溶解除去、SP・HSP、相互作用球半径Ra）
４．有効な付着物除去方法（徹底的な除去を目指して）
　　4.1 ウェット処理による洗浄
　　　4.1.1 超純水（機能水、窒素水、帯電防止水、水素水、腐食防止）
　　　4.1.2 RCA洗浄（重金属除去、酸化還元電位、SC1・SC2）
　　　4.1.3 金属イオンの腐食・溶解（イオン注入、ポテンシャル–pH電位図）
　　　4.1.4 マイクロ気泡脱離（低表面張力液体による除去）
　　　4.1.5 超音波洗浄（異物除去、再付着防止）
　　　4.1.6 エッジバックリンス（EBR：ウェハ裏面・端面の洗浄技術）
　　　4.1.7 乾燥痕対策（液内対流、IPA、スピン乾燥）
　　4.2 ドライ処理によるクリーン化
　　　4.2.1 プラズマ処理（有機物分解・物理スパッタ）
　　　4.2.2 ブラシスクラバー（機械的除去）
　　　4.2.3 空気清浄の高機能化（浮遊粒子の捕獲）
　　　4.2.4 除電による帯電中和（付着粒子の離脱促進）
　　　4.2.5 疎水化処理（自然付着の抑制）
５．質疑応答
　　日頃の疑問、トラブル、解析・技術開発に関するご相談に個別対応します。
６．参考資料
　　表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）