1. 先進半導体パッケージの役割の変化
江澤 弘和 氏
HBMによる先端AI/HPCデバイス市場の支配が続く一方、UCIe規格に準拠するchiplet integrationの拡張性を備えたSoC製品開発も進展している。半導体パッケージ技術の開発は民生機器から、車載、メディカル、社会インフラに至る様々な市場で新たなサービス創出への寄与が求められており、樹脂パッケージ基板の開発だけでは得られないガラス基板の潜在価値を今後の半導体モジュールの高機能化に向けて開放することが注目されている。本講演では、これまでの先進半導体パッケージ開発の経緯を整理し、ガラス基板開発の議論へのバトンタッチといたします。
1. 最近の先進パッケージの動向
2. 中間領域プロセスの進展
3. 三次元集積化プロセスの基礎
4. Fan-Out型パッケージの再訪
5. PLP高品位化の課題
6. ガラス基板とCPOの話題
7. 今後の市場及び開発動向
2. TGV基板上への直接銅めっきによるシード層形成
高山 昌敏 氏
高速・大容量のデータ通信を実現するため、チップレットパッケージの開発がされている中、ガラスコア基板が注目されています。当社ではガラス上に直接銅をめっきする研究を進め、課題となるガラスと銅の密着力を強くし、TGVなどの立体成型品に均一な銅皮膜を形成することを可能としました。この手法をGWC(Glass Wet Cu plating)と称して、めっき事業の推進に取り組んでいます。本講演ではGWCプロセスをご紹介し、銅めっきしたTGV基板の評価結果などをお話させていただきます。
3. TGVフィリング技術の開発動向
長野 暢明 氏
半導体デバイスの性能向上において、「アドバンスドパッケージング」と呼ばれる技術の重要性が高まっている。
近年では、パッケージ基板の材料としてガラスが注目されており、このガラス基板にはTGV（Through-Glass Via）が
形成される。 当社では、TGVをフィリングするための硫酸銅めっきプロセスを開発している。本講演では、TGV
フィリング用硫酸銅めっき技術に焦点を当て、電解銅めっき技術の解説も踏まえながら、詳細を説明する。
1. Advanced Packaging技術の必要性
2. Advanced Packaging におけるめっき技術
3. ガラスインターポーザー用硫酸銅めっき
4. ガラスコア基板用硫酸銅めっき
4. ガラスコアサブストレート/ガラスインターポーザの課題と開発動向
八甫谷 明彦 氏
AI半導体の高機能化に伴い、チップレットの採用、及び高機能化のためチップレットを構成する Siチップの大型化とSiチップ数の増加がトレンドになっている。複数のSiチップを搭載するサブストレート、ガラスインターポーザーのサイズも大型化しており、反りや低損失伝送が課題となっている。この課題を解決するガラスコアサブストレート、ガラスインターポーザーについて全体像、課題、および開発動向を概説する。
・ガラスコアサブストレート、ガラスインターポーザーの全体像
・ガラスコアサブストレート、ガラスインターポーザーの基礎
・ガラスコアサブストレート、ガラスインターポーザーの課題
・ガラスコアサブストレート、ガラスインターポーザーの開発動向
・ガラスコアサブストレート、ガラスインターポーザーのプレイヤー