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TSVを中心とするSiPの最新技術動向

★ 小型化LSI開発に向けた次世代SiP技術の中でもTSV(シリコン貫通電極)を中心に解説!
★ 従来SiPとの比較など様々な実験データを詳述!
★ フリップチップやPoPなど最先端の実装技術・デバイスの最新動向も!

商品概要

略称
SiPの最新動向
商品 No.
bk7227
発刊日
2010年03月01日(月)
ISBN
978-4-7813-0223-2
体裁
B5判,258頁
価格
70,200円(税込)
発行
シーエムシー出版
問い合わせ
(株)R&D支援センター TEL:03-5857-4811 MAIL:info@rdsc.co.jp
著者
編 著  山本貴尋
発刊にあたって
  最新のハイエンドの携帯電話を分解してみるとFlipchip,Chipstack,PackageOnPackageなどの最先端の実装技術の粋を集約したデバイスを確認できるはずであり,実装技術が携帯電話をはじめとするハンドセットのさらなる小型化へ寄与していることを大いに実感せずにはいられない。一方,複数のSiチップを積層させてデバイスを飛躍的に高性能化・小型化するTSV(シリコン貫通電極)技術がここにきて注目されてきているのは,既に周知のことと思われる。それは数年以上前から開発され続けており,既にCMOSイメージ・センサーの小型化のために量産されているが,いよいよ,本格的な実用化が,2010~2011年に相次ぐといわれている。今後,出荷数が多い汎用DRAMやNAND型フラッシュメモリーから量産が開始され,高性能プロセッサへと応用範囲を広げる可能性がある。このようにようやく動き出した,TSVの最新の技術詳細に迫るべく,本書はそれのページ数を大いに割くことにした。そして,昨年,2009年に発行された国内外のSiP関連の学会誌,機関誌,雑誌など,100件以上を,調査,解析した。TSV加工の全工程の技術開発の紹介はもちろんのこと,三次元積層のユニークなソリューションとして,TSVを加工せず無線でデータの送受信を行うワイヤレスTSVも取り上げた。その他,TSVの普及のために,技術開発の重要なテーマである加工コストの低減についても説明した。
 世の中に出版されるTSV関連の書籍と差別化するために,本書は以下のことを特徴としている。

 ・基本的技術説明を一切省き,TSVと従来のSiP技術も含めたSiP全体の“最新技術の解析”を行い,実験データの説明に重点をおいた。
 ・特にTSV技術において,業界の中では,TSV技術を今後の技術アイテムに適用するかどうか手探り状態であるメーカーも少なくないと推測される。そこで,当書籍はそれらの指針になりうると思われる。

 最後に,SiPの技術開発及び,関連材料の開発に携わる第一線の技術者にとって,本書は各社の最新のTSVを中心とする種々の実装技術の取り組みが把握でき,技術開発のマイルストーンになり得れば,幸いである。

(「はじめに」より)

2010年2月   テクニカルコンサルタント 山本貴尋
書籍・DVDの内容
1. 現状の技術開発動向
  1.1 MCeP(R)(MoldedCoreembeddedPackage)の開発
    1.1.1 MCePの構造,利点
    1.1.2 製造プロセス
    1.1.3 製造歩留り
    1.1.4 熱抵抗シミュレーション
    1.1.5 信頼性評価(MSL)
    1.1.6 開発ロードマップ
    1.1.7 今後の課題
  1.2 WLP内蔵基板の製造技術
    1.2.1 LSI(WLP)内蔵基板の構造と特長
    1.2.2 製造プロセス並びに検査技術
    1.2.3 信頼性
    1.2.4 実用化事例
    1.2.5 まとめ
  1.3 一括積層基板における部品内蔵プレス時の樹脂流動制御
    1.3.1 熱可塑性樹脂基板の一括積層プロセス
    1.3.2 流体・構造体強連成解析システム
    1.3.3 内蔵部品周囲の樹脂流動挙動解析
    1.3.4 内蔵部品側面の設計値と接続部の圧力状態解析
    1.3.5 まとめ
  1.4 TDR法による部品内蔵基板評価
    1.4.1 部品内蔵基板の構造と製造工程
    1.4.2 設計技術
    1.4.3 テスト・評価技術
    1.4.4 部品内蔵基板規格EB-01
  1.5 部品内蔵基板におけるEMI低減コンデンサ配置方法の検討
    1.5.1 評価結果
    1.5.2 まとめ
  1.6 部品内蔵基板による省スペース・高周波安定性
    1.6.1 実装面積の削減と低消費電力化
    1.6.2 信号品質の向上
    1.6.3 EMIノイズの低減と高周波での電源安定化
    1.6.4 まとめ
  1.7 受動・能動混載内蔵e-B2it配線板技術の最新動向
    1.7.1 受動素子/部品内蔵(EPD)技術のタイプ分類とその特徴
    1.7.2 能動デバイス/部品内蔵(EAD)技術のタイプ分類とその特徴
    1.7.3 市販受動チップ部品/能動デバイス混載内蔵EPD/EADモジュールの開発・実用化
    1.7.4 EPD/EAD(e-B2it)モジュール技術の電気特性の優位性
    1.7.5 EPD/EAD:e-B2it技術の今後の課題
2. 技術開発動向と予測
  2.1 現状の技術動向分析
  2.2 今後の技術開発予測
キーワード
TSV,貫通電極,フリップチップ,LSI,SiP,書籍
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当社負担(国内)

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