
最先端電解・無電解銅めっき技術と添加剤の影響【大阪講座】
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セミナータイトル
電解・無電解めっきの基礎を概説した上で、微細配線に一般的に使用される銅めっきを例に取り、添加剤とめっき皮膜の電気的性質、不純物、結晶組織、微細ホールへのスーパー埋め込み技術、などとの相関についての詳細な解説を行う!
最先端電解・無電解銅めっき技術と添加剤の影響≪1名分料金で2人目無料≫
セミナー概要
セミナー番号 | 100209 |
講 師 | 申込受付を終了いたしました。 本セミナーに関する各種お問い合わせはこちらから。 |
会 場 | 大阪産業創造館 6F 会議室D 【大阪・堺筋本町】 |
日 時 | 平成22年2月4日(木) 12:30~16:30 |
| 定 員 | 20名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。 |
聴講料 | 1名につき49,980円(税込、資料付き) 1名お申し込みいただければ、2人目は無料でご参加いただけます。 ※大学生、教員のご参加は、1名に付き受講料10,500円です。 (ただし、企業に在籍されている研究員の方は除きます。) |
講座の内容
【講座趣旨】
めっき技術は実装基板やLSI微細配線を始めとして、様々な分野に用いられている。本講演では、電解・無電解めっきの基礎を概説した上で、微細配線に一般的に使用される銅めっきを例に取り、添加剤とめっき皮膜の電気的性質、不純物、結晶組織、微細ホールへのスーパー埋め込み技術、などとの相関についての詳細な解説を行う。
最近話題となっている三次元実装技術における貫通ビアホールへの銅めっき技術の適用に関しても、添加剤の効果などを含めて解説を行う。
【プログラム】
1.電解めっき法および無電解めっき法の基礎
・様々な物質の標準酸化還元電位
・電気二重層
・標準電極とポテンシオスタット
・電解めっきの電流-電圧特性(バトラー・ボルマー関係式)
・電解めっきにおける電流、電圧印加方法
・主な添加剤と役割(抑止剤、レベラー、促進剤)
・主な還元剤と主めっき反応
・混声電位理論(Wagner-Traud図)
・触媒吸着処理法
・置換めっき法
・電気二重層
・標準電極とポテンシオスタット
・電解めっきの電流-電圧特性(バトラー・ボルマー関係式)
・電解めっきにおける電流、電圧印加方法
・主な添加剤と役割(抑止剤、レベラー、促進剤)
・主な還元剤と主めっき反応
・混声電位理論(Wagner-Traud図)
・触媒吸着処理法
・置換めっき法
2.添加剤とめっき膜質
・添加剤の膜中への取り込みとその評価
・不純物の取り込みと結晶粒径、電気抵抗の相関
・熱処理での結晶粒成長現象と不純物
・不純物の取り込みと結晶粒径、電気抵抗の相関
・熱処理での結晶粒成長現象と不純物
3.電解めっきによるLSI微細ホールへのスーパーフィル技術
・ダマシン法と微細銅配線技術
・スーパー埋め込みの添加剤
・ボルタンメトリによるめっき機構解析
・スーパー埋め込みと電圧(電流)波形
・室温結晶粒成長現象
・スーパー埋め込みの添加剤
・ボルタンメトリによるめっき機構解析
・スーパー埋め込みと電圧(電流)波形
・室温結晶粒成長現象
4.無電解めっきによるLSI微細ホールへのスーパーフィル技術
・抑止剤の添加と埋め込みへの効果
・抑止剤の膜中取り込み
・無電解スーパー埋め込み技術
・熱処理による結晶粒成長と不純物の相関
・抑止剤の膜中取り込み
・無電解スーパー埋め込み技術
・熱処理による結晶粒成長と不純物の相関
5.三次元実装への貫通ビアへの銅メッキ技術の適用
・バリアシード層形成技術
・無電解Cuめっきによるシード層形成
・電解銅メッキによるTSV埋め込み技術
・無電解Cuめっきによるシード層形成
・電解銅メッキによるTSV埋め込み技術
【質疑応答・名刺交換】
キーワード:鍍金,メッキ,電解めっき,表面科学
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