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最先端電解・無電解銅めっき技術と添加剤の影響【大阪講座】

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セミナータイトル

電解・無電解めっきの基礎を概説した上で、微細配線に一般的に使用される銅めっきを例に取り、添加剤とめっき皮膜の電気的性質、不純物、結晶組織、微細ホールへのスーパー埋め込み技術、などとの相関についての詳細な解説を行う!


最先端電解・無電解銅めっき技術と添加剤の影響
≪1名分料金で2人目無料≫

セミナー概要

セミナー番号
100209

講 師
 
申込受付を終了いたしました。

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会 場
大阪産業創造館 6F 会議室D 【大阪・堺筋本町】
日 時
平成22年2月4日(木) 12:30~16:30
定 員20名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
聴講料
1名につき49,980円(税込、資料付き)
1名お申し込みいただければ、2人目は無料でご参加いただけます。

※大学生、教員のご参加は、1名に付き受講料10,500円です。
(ただし、企業に在籍されている研究員の方は除きます。)

講座の内容

【講座趣旨】

  めっき技術は実装基板やLSI微細配線を始めとして、様々な分野に用いられている。本講演では、電解・無電解めっきの基礎を概説した上で、微細配線に一般的に使用される銅めっきを例に取り、添加剤とめっき皮膜の電気的性質、不純物、結晶組織、微細ホールへのスーパー埋め込み技術、などとの相関についての詳細な解説を行う。

 最近話題となっている三次元実装技術における貫通ビアホールへの銅めっき技術の適用に関しても、添加剤の効果などを含めて解説を行う。

 

【プログラム】

1.電解めっき法および無電解めっき法の基礎

  ・様々な物質の標準酸化還元電位
  ・電気二重層
  ・標準電極とポテンシオスタット
  ・電解めっきの電流-電圧特性(バトラー・ボルマー関係式)
  ・電解めっきにおける電流、電圧印加方法
  ・主な添加剤と役割(抑止剤、レベラー、促進剤)
  ・主な還元剤と主めっき反応
  ・混声電位理論(Wagner-Traud図)
  ・触媒吸着処理法
  ・置換めっき法

2.添加剤とめっき膜質

  ・添加剤の膜中への取り込みとその評価
  ・不純物の取り込みと結晶粒径、電気抵抗の相関
  ・熱処理での結晶粒成長現象と不純物

3.電解めっきによるLSI微細ホールへのスーパーフィル技術

  ・ダマシン法と微細銅配線技術
  ・スーパー埋め込みの添加剤
  ・ボルタンメトリによるめっき機構解析
  ・スーパー埋め込みと電圧(電流)波形
  ・室温結晶粒成長現象

4.無電解めっきによるLSI微細ホールへのスーパーフィル技術

  ・抑止剤の添加と埋め込みへの効果
  ・抑止剤の膜中取り込み
  ・無電解スーパー埋め込み技術
  ・熱処理による結晶粒成長と不純物の相関

5.三次元実装への貫通ビアへの銅メッキ技術の適用

  ・バリアシード層形成技術
  ・無電解Cuめっきによるシード層形成
  ・電解銅メッキによるTSV埋め込み技術

  【質疑応答・名刺交換】

キーワード:鍍金,メッキ,電解めっき,表面科学

 

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